Об образовательной программе
Направление: 28.04.01 Нанотехнологии и микросистемная техника
Профиль: Материалы микро- и наносистемной техники
Факультет радиотехники и электроники
Документы образовательной программы: развернуть свернуть
Учебный план
Календарный учебный график
ЭЦП документа
ЭЦП документа
ЭЦП документа
Описание образовательной программы
ЭЦП документа
Программа ГИА
ЭЦП документа
Учебный план
Календарный учебный график
Учебный план
Календарный учебный график
Календарный учебный график
ЭЦП документа
ЭЦП документа
ЭЦП документа
Описание образовательной программы
ЭЦП документа
Программа ГИА
ЭЦП документа
Учебный план
Календарный учебный график
Учебный план
Календарный учебный график
Количество мест для приема:
Бюджетных: 9Контрактных: 15
Cтоимость обучения в 2024 году: не указана
Экзамены:
ИнформатикаЭлектроника, радиотехника и системы связи
Проходной балл :
Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
«Материалы микросистемной техники» – это направление, связанное с исследованием известных и новых полупроводниковых материалов, таких как графен, углеродные нанотрубки, сверхрешетки, квантовые проволоки и точки. Основной отличительной чертой направления является глубокое погружение в нанотехнологии, разработка и использование программ, моделирующих различные явления в наноструктурах, в том числе физику их роста. Магистры направления работают на самом современном научном оборудовании, включая атомные силовые микроскопы, Фурье-спектрометры, установки с фокусированными ионными и электронными пучками. Магистры направления имеют отличные возможности для подготовки и публикации научных статей высокого уровня, попадающих в высокорейтинговые зарубежные научные журналы. Направление комплектуется в основном бакалаврами с дипломами по направлению «Микро- и наносистемная техника», профиль «Нанотехнология».Трудоустройство:
Выпускники магистратуры по направлению «Материалы микро- и наносистемной техники» востребованы во многих научно-исследовательских институтах России, среди которых, в частности:- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников СО РАН»,
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии СО РАН».
Они также могут работать в таких зарубежных университетах и научно-исследовательских центрах, как:
- Технический университет г. Кемниц (Германия),
- Технический университет г. Дрезден (Германия),
- Институт Макса Планка (Германия),
а также в таких зарубежных корпорациях, как Quorvo, Inc.
Многие из них также могут становиться членами научных сообществ, таких как IEEE, Inc.
Выпускники чаще всего работают в качестве инженеров-конструкторов, инженеров-исследователей или младших научных сотрудников, а также поступают в аспирантуру, совмещая учебу, работу над кандидатской диссертацией и работу в качестве преподавателя.
Основные дисциплины: развернуть свернуть
- История и методология полупроводниковой микро- и нанотехнологии
- Компьютерные технологии в наноэлектронике и микросистемной технике
- Материаловедение наносистем
- Материалы и элементная база наноэлектроники
- Методы исследования микроэлектронных и наноэлектронных структур
- Микро- и наносистемы в технике и технологии
- Микропроцессорная техника
- Проектирование и технология электронной компонентной базы
- Процессы микро- и нанотехнологии
- Семинары по специальности
- Современные проблемы нанотехнологии в электронике
- Специальные главы наноэлектроники
- Специальные главы физики полупроводниковых приборов
- Технологии и методы создания наноструктур
- Физика низкоразмерных систем
- Фотоэлектроника
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Мотив, ООО, г.Новосибирск
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Effect of growth temperature of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers on donor concentration and leakage currents / D. Protasov, D. Milakhin [et al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2023.127459 . - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2024. - Vol. 626. - Art. 127459.
- Analysis of GaAs nanostructure formation according to vapor-liquid-solid mechanism / N. Shwartz, M. Vasilenko, M. Nesterenko, I. Neizvestny // Physics, chemistry and application of nanostructures : proc. of intern. con. nanomeeting – 2015 : rewiews and short notes, Belerus, Minsk, 26–29 May 2015. – World sci. publ., 2015. – P. 334-337. - ISBN 978-981-4696-51-7.
- Antonova I. V. Graphene/Hexagonal Boron Nitride CompositeNanoparticles for 2D Printing Technologies / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev. - DOI 10.1002/adem.202100917. - Text : direct // Advanced Engineering Materials. - 2022. - Art. 2100917 (12 p.)
- Automation of Piezoresistive Properties Measurements of New Composite Materials / R. S. Kumarbaev, A. A. Fedorov, V. A. Ermakov, V. A. Kolodina, A. V. Nikulin, V. A. Kuznetsov. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855166. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 624-627. - ISBN 978-1-6654-9804-3. - Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation Grant N 21-79-00224.
- Composites of Polybenzimidazole with SWCNTs – Temperature Dependences of Resistance / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, E. N. Tkachev [et. al.]. - DOI 10.23919/MIPRO55190.2022.9803348. - Text : direct // 45 Jubilee International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO-2022) : proc., Opatija, Croatia, 23-27 May 2022. - IEEE, 2022. - P. 139-141. - ISBN 978-953-233-103-5.
- Detailed morphology and electron transport in reducedgraphene oxide filled polymer composites with asegregated structure / V. A. Kuznetsov, M. V. Gudkov, V. A. Ermakov, K. A. Shiyanova [et al.]. – DOI 10.1002/pssa.202300855. – Text : direct // Physica Status Solidi (A). – 2024. – Vol. 221, iss. 6. – Art. 2300855 (7 p.). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of theRussian Federation project N 121031700314-5.
- Engineering of graphene-based composites with hexagonal boron nitride and PEDOT:PSS for sensing applications / I. V. Antonova, D. A. Poteryayev, A. A. Buzmakova [et al.]. – DOI 10.1039/D3CP05953G. – Text : direct // Physical Chemistry Chemical Physics. – 2024. – Vol. 26, iss. 9. – P. 7844–7854.
- Examination of concentric GaAs nanorings growth by Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of 25 intern. symp. (NANO-2017), Saint-Petersburg, 26–30 June 2017. – Saint-Petersburg : Acad. Univ., 2017. – P. 280-281. - ISBN 978-5- 7422-5779-0. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Graphene: Hexagonal Boron Nitride Composite Films with Low-Resistance for Flexible Electronics / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev, А. А. Buzmakova [et. al.]. - DOI 10.3390/nano12101703. - Text : direct // Nanomaterials. - 2022. - Vol.12, iss.10. - Art. 1703 (12 p.).
- High-temperature electrically conductive polymer composites with single-walled carbon nanotubes / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. C. Kholkhoev, E. N. Tkachev [et al.]. – DOI 10.1134/S0036023622602513. – Text : direct // Russian Journal of Inorganic Chemistry. – 2023. – Vol. 68, iss. 2. – P. 221–226. – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foun-dation Grant N 21-79-00224.
- Knyazeva M. V. Influence of temperature and catalyst drop diameter on GaAs nanowire growth / M. V. Knyazeva, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 19-21.
- Kovalev V. M. Exciton Optical Transitions in Quantum Well with Rashba Spin-Orbit Coupling / V. M. Kovalev, M. V. Boev // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2013. - Vol. 97, iss. 3. - P. 131-136.
- Kuznetsov V. A. Effect of the Type of a High-Temperature Polymer Matrix on the Morphology and Electrical Conductivity of Composites with SWCNTs / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. Ch. Kholkhoev, E. Yu. Gerasimov, V. F. Burdukovskii. - DOI 10.1134/S0022476623070053. - Text : direct // Journal of Structural Chemistry. - 2023. - Vol. 64, iss. 7. - P. 1212-1219.
- Lysenko N. I. Analysis of the peculiarities of using multielement photodetector devices for registration of infrared spectra / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 322-325. - ISBN 978-5-94301-628-8 . - DOI: 10.1109/EDM.2016.7538750.
- Lysenko N. I. Simulation of the heterodyne method for measurement of the second derivative of the current-voltage characteristic / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 22-25. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 110.1109/EDM.2018.8434961.
- Lysenko N. I. Transfer functions of the focal plane arrays linearization / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 338-340. - ISBN 978-1-5090-6687-2.
- Mantsurova S. V. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1016/j.surfin.2023.103193. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2023. - Vol. 41. - Art. 103193.
- Milakhin D. S. Chemical kinetics and thermodynamics of the aln crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE / D. S. Milakhin ; research adviser K. S. Zhuravlev, language adviser A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 30 марта 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 213-215. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-3173-3.
- Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 16. - P. 2135–2139. - DOI: 10.1134/S1063782618160340. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate / S. V. Kudrich, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, A. A. Spirina. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855049. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 6-10. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
- Nanolithography of Amorphous Vanadium Oxide Films Using an Atomic Force Microscope / A. I. Komonov, N. D. Mantsurov, S.V. Mutilin [et. all] ; [sci. ed. N. L. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855164. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 20-24. - ISBN 978-5-7782-4288-3.
- Nastovjak A. Analysis of nanowire diameter variation during MBE self-catalyzed growth: a Monte Carlo simulation / A. Nastovjak, A. Suprunets, N. L. Shwartz // Physics, chemistry and applications of nanostructures : reviews and short notes, proc. of intern. conf. «Nanomeeting–2017», Belarus, Minsk, 30 May – 2 June 2017. – Singapore : World Sci. Publ., 2017. – P. 418-421. - ISBN 978-981-3224-52-0.
- Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of alternate pulsed epitaxial growth of gaas nanowires / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1002/pssb.202100641. – Text : direct // Physica Status Solidi (B). – 2022. – Vol. 259, iss. 11. – Art. 2100641 (8 p). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Educationand Science of the Russian Federation (project no. 0242-2021-0008).
- Nelyubin I. V. Research of the electrical characteristics polysilicon on insulator thin films / I. V. Nelyubin, O. V. Naumova, B. I. Fomin ; sci. ed. N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 26-29. - 36 copy - ISBN 978-5-94301-628-8.
- Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of a high-energy electron beam / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. Mansurov, Y. Galitsin, A. Bakarov ; research adviser K. S. Zhuravlev ; language adviser A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2016 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 90–91. – 160 copy. – ISBN 978-5-7782-2869-6.
- Photoelectromagnetic Phenomena in n-type HgCdTe Heterostructures / V. A. Kuznetsov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko [et al.] ; [sci. ed. D. Y. Protasov]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507591. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 8-11. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
- Poteryaev D. Н-BN: graphene based high conductive composite films for flexible heterostructures / D. Poteryaev ; [науч. рук. N. Shwartz] ; research adviser I. V. Antonova ; language adviser S. V. Nikroshkina. – Текст : непосредственный // Progress through innovations : тр. 10 междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2022 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – С. 76–78.
- Saburova V. I. Modeling of the temperature dependence of polycrystalline-Si conductivity in TCAD Sentaurus environment / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 109-112. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.
- Shklyaev A. A. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures / A. A. Shklyaev, A. E. Budazhapova ; [sci. ed. I. E. Antonova] // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2017. - Vol. 57. - P. 18-23. - DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.033.
- Simulation of AIIIBV semiconductors annealing and concentric nanorings formation by droplet epitaxy / N. Shwartz, М. Vasilenko, A. Nastovjak, A. Spirina // 19 European Workshop on molecular beam epitaxy : abstr. book, Saint Peterburg, 19–22 March 2017. – Saint Peterburg, 2017. – P. 128 (We-28p).
- Spirina A. A. Characteristics of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 26 intern. symp., Republic of Belarus, Minsk, 18–22 June 2018. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2018. – P. 140–141. - ISBN 978-985-7202-35-5. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Spirina A. A. Comparative characteristics of GaAs and InAs Langmuir evaporation - Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Defect and Diffusion Forum. - 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 27-32. - DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.27.
- Spirina A. A. GaAs substrates langmuir evaporation kinetics / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 35-39. - ISBN 978-1-5386-5020-2 . - DOI: 10.1109/EDM.2018.8435019. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Spirina A. A. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. – Vol. 993 : 19 Russian youth conference on physics of semiconductors and nanostructures, opto- and nanoelectronics, Saint Petersburg, 2017. – Art. 012011 (6 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012011. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Spirina A. A. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, iss. 16. - Р. 2125-2128. - DOI: 10.1134/S1063782619120297. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 18-02-00764).
- Spirina A. A. Simulation of planar nanowire growth based on AIIIBV semiconductors [Electronic resource] / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 36-39. - Mode of access: http:// https://ieeexplore.ieee.org/document/8823490/authors#authors. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-1753-9. - DOI: 10.1109/EDM.2019.8823490.
- Spirina A. A. Surface orientation influence on the characteristics of GaAs substrates high-temperature annealing / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // The fourth asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO–NANOMAT 2018) : proc., Vladivostok, 23–28 Sept. 2018. – Vladivostok : Far Eastern Federal Univ., 2018. – P. 125–126. - ISBN 978-5-8044-1556-4. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
- Spirina A. A. Surface orientation influence on the Langmuir evaporation characteristics of GaAs substrates / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Defect and Diffusion Forum. - 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 21-26. - DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.21.
- Strain-Sensing Properties of Chitosan-Based Film Composites / V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich, A. A. Fedorov [et. al.]. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647684. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 5-8. - ISBN 978-1-6654-3408-9.
- Suprunets A. G. Investigation of self-catalyzed GaAs NW growth by Monte Carlo simulation / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 14-18. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.
- Suprunets A. G. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowire growth (Monte Carlo simulation) / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - Vol. 690. - Art. 012011 (7 p.).
- Surface morphology transformation during droplet epitaxy growth - Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 23 intern. symp., Saint Petersburg, 22–26 June 2015. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2015. – Р. 204–205. - ISBN 978-5- 7422-4876-7.
- TCAD simulation of the influence of grain boundaries on the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, G. N. Kamaev, I. G. Neizvestnyi, A. S. Cherkaev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 8-11. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 10.1109/EDM.2018.8434950.
- Vasilenko M. A. Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo simulation) / M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 16-19. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184477.
- Vasilenko М. А. Monte Carlo simulation of GaAs nanorings formation by droplet epitaxy / М. А. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016: proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 3-6. - ISBN 978-5-94301-628-8. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ - проект 14.02.00776, 16.31.00120.
- Zhikharev P. Conditions for the Formation of Vertical Nanowires and Crystalline Clusters of GaAs during the Self-Catalyzed Growth / P. Zhikharev, A. Nastovjak, N. Shwartz ; [sci. ed. N. L. Shwart]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507696. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 62-66. - 100 copy. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
- Zhikharev P. V. Effect of mask-film properties on the initial GaAs nanowire growth stages / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz. - DOI 10.1088/1742-6596/2227/1/012015. - Text : electronic // Journal of Physics: Conference Series. - 2022. - Vol. 2227 : 23 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021), 22-26 Nov. 2021. - Art. 012015 (5 p.). - URL: https: // iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2227/1/012015/meta. - Publication date: 25.04.2022. - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Project № 0242-2021-0008).
- Zhikharev P. V. Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate [Electronic resource] / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 9-13. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/9153540. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153540. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 18-02- 00764), and by the Russian Academy of Sciences Programs.
- Василенко М. А. Моделирование роста GaAs-наноструктур методом капельной эпитаксии / М. А. Василенко, Н. Л. Шварц // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение : прогр. и материалы 14 междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 29 сент. - 2 окт. 2015 г. - Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2015. – С. 34. - ISBN 978-5-7-103-3126-2.
- Василенко М. А. Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) / М. А. Василенко, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 94.
- Влияние масштабирования на проводимость поликремниевых мезарезисторов / Г. Н. Камаев, В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, А. С. Черкаев, В. И. Сабурова // Кремний-2018 : тез. докл. 12 конф. и 11 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Черноголовка, 22–26 окт. 2018 г. – Черноголовка, 2018. – С. 65. – ISBN 978-5-6040418-1-9.
- Изучение процесса формирования наноструктур А3В5 методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) = Monte Carlo simulation of the formation of AIIIBV nanostructures with the use of droplet epitaxy / М. А. Василенко, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Автометрия. - 2016. – Т. 52, № 5. – С. 111–121. - DOI: 10.15372/AUT20160513.
- Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост / М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Физика и техника полупроводников. - 2015. – Т. 49, вып. 1. – С. 63–70.
- Ипатов Д. Е. Стенд для измерения характеристик матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона / Д. Е. Ипатов ; науч. рук. И. Г. Неизвестный // Новые информационные технологии в научных исследованиях. НИТ–2017 : материалы 22 Всерос. науч.-техн. конф., студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 15–17 нояб. 2017 г. – Рязань : Изд-во РГРУ, 2017. – С. 285–286. - 300 экз. - ISBN 978-57722-0274-6.
- Исследование температурных зависимостей электросопротивления композитов сегрегированной структуры на основе поливинилхлорида / В. А. Колодина, В. А. Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 410. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.
- Кnyazeva M. V. Examination of catalytic GaAs nanowire growth by Monte Carlo simulation / M. V. Кnyazeva, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 20140 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 54-56. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.-DOI: 10.1109/EDM.2014.6882476
- Каталитический и самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs (Монте-Карло моделирование) / М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Нанофизика и наноэлектроника : тр. 18 междунар. симп., Нижний Новгород, 10–14 марта 2014 г. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегород. гос. ун-та, 2014. – Т. 2. секция 3. – С. 680–681.
- Лысенко Н. И. Реализация гетеродинного метода измерения первой и второй производных вольт-амперной характеристики с помощью LABVIEW RIO EVALUATION KIT / Н. И. Лысенко, А. Е. Настовьяк ; науч. рук. В. Г. Половинкин // Научная сессия ТУСУР–2018 : сб. избр. ст. научной сессии ТУСУР : по материалам междунар. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 16–18 мая 2018 г. В 3 ч. – Томск : В-Спектр, 2018. – Ч. 2. – С. 57–59. – ISBN 978-5-91191-384-7.
- Моделирование высокотемпературных отжигов массива нанопроволок GAAS = Simulation of high-temperature annealing of GAAS nanowire array / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - DOI 10.29003/m3071.MMMSEC-2022/71-74. - Текст : непосредственный // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов : материалы 4 междунар. конф., Москва, 24–26 окт. 2022 г. – Москва : МАКС Пресс, 2022. – С. 71–74. - ISBN 978-5-317-06871-4.
- Моделирование отжига нанопроволок GAAS / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - Текст : электронный // Нанофизика и наноэлектроника : труды 26 междунар. симпозиума, Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. – Нижний Новгород : Изд-во ННГТУ, 2022. – Т. 2. – С. 944–945. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48209070&selid=49778179 (дата обращения: 26.12.22). - ISBN 978-5-91326-720-7. – Работа Выполнена : при поддержке программы Минобрнауки РФ (№ 0242-2021-0008).
- Моделирование температурной зависимости проводимости поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = Modeling of the Temperature Dependence of Polycrystalline-Si Conductivity in TCAD Sentaurus Environment / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев, В. А. Гридчин // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 39–42. – 45 экз. – ISBN 978-5-7782-3616-5.
- Нелюбин И. В. Исследование электрических свойств тонких пленок поликремния на изоляторе / И. В. Нелюбин ; науч. рук. Н. А. Наумова // Дни науки НГТУ–2016 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2015–2016 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 53–55. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-3038-5.
- Полимерные композиционные материалы для сенсорной электроники / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // 13 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО–2021) : сб. тез. докл., Новосибирск, 24–25 мая 2021 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2021. – С. 37. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).
- Пономарёв К. Е. Удаленный мониторинг параметров оборудования и сбора данных с датчиков в подземных объектах / К. Е. Пономарёв ; науч. рук. В. А. Гридчин // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 1–5 дек. 2015 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – Ч. 6. – С. 35–36. - 40 экз. - ISBN 978-5-7782-2766-8, 978-5-7782-2772-9.
- Потеряев Д. А. Исследование проводимости пленок на основе композитных наночастиц графен – гексагональный нитрид бора / Д. А. Потеряев ; науч. рук. И. В. Антонова. - Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 226-229. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4565-5.
- Решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV = Lattice Monte Carlo model of Langmuir evaporation of AIIIBV semiconductors / А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Вычислительные технологии = Vychislitel'nye tekhnologii. – 2018. – Т. 23, № 6. – С. 80–92. – DOI: 10.25743/ICT.2018.23.6.008. – Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-31-00120) и прогр. Президиума РАН (№ 00023).
- Сабурова В. И. Моделирование температурной зависимости проводимости пленок поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = TCAD simulation of the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев // Физика твердого тела : сб. материалов 16 Рос. науч. студ. конф., Томск, 17–20 апр. 2018 г. – Томск: Изд-во НТЛ, 2018. – С. 225–227. - 100 экз. - ISBN 978-5-89503-616-7.
- Спирина А. А. Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование) [Электронный ресурс] / А. А. Спирина, Н. Л. Шварц // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 133. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. – Загл. с экрана. – ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-133. – Работа выполнена при поддержке программ РАН.
- Супрунец А. Г. Монте-Карло моделирование эффекта выравнивания диаметров нитевидных нанокристаллов InAs в процессе самокаталитического роста / А. Г. Супрунец, Н. Л. Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 29–32. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
- Температурные зависимости электросопротивления в сегрегированных структурах на основе фторопласта и сверхвысокомолекулярного полиэтилена / В. А. Ермаков, В. А. Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 392. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.
- Тензорезистивные свойства в композитах на основе хитозана / Д. И. Гапич, В. А. Кузнецов, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 370–371. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/ (исследование электрофизических свойств) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта №20-33-90189 Аспиранты (синтез композитов на основе хитозана).
- Условия формирования концентрических наноколец методом капельной эпитаксии / М. А. Василенко, A. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // 8 Российская конференция по физике полупроводников : тез. докл., Екатеринбург, 2–6 окт. 2017 г. – Екатеринбург : Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, 2017. – С. 118. - 160 экз. - ISBN 978-5-9500855-0-5.
- Федоров А. А. Температурные зависимости электросопротивления композитов на основе полибензимидазола / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 388. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.
- Федоров А. А. Температурные зависимости электросопротивления композитов с одностенными углеродными нанотрубками / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 478–479. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.
- Федоров А. А. Электросопротивление композитов на основе полибензимидазола при повышенных температурах / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Материалы 59 международной научной студенческой конференции (МНСК–2021). Физика = Proceedings of the 59 International students scientific conference (ISSC–2021). Physics, Новосибирск, 12–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : ИПЦ НГУ, 2021. – С. 97. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.
- Фролов Д. И. Особенности электронного транспорта в слоистом кобальтате YBaCo4O7+x / Д. И. Фролов, Е. Н. Ткачев, В. А. Кузнецов ; науч. рук. Е. Н. Ткачев. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 480–481. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1.
- Шварц Н. Л. Монте-Карло моделирование роста полупроводниковых наноструктур / Н. Л. Шварц, М. А. Василенко, А. Г. Супрунец // 2 Байкальский материаловедческий форум : материалы Всерос. науч. конф. с междунар. участием, Улан-Удэ, 29 июня – 5 июля 2015 г. – Улан-Удэ : Изд-во Бурятского научного центра СО РАН. – 2015. – Ч. 2. – C. 155–157. - ISBN 978-5-7925-0469-1.
- Электропроводящие полимерные композиционные материалы для электроники – фундаментальные и прикладные аспекты / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // Новые полимерные композиционные материалы. Микитаевские чтения : материалы 17 междунар. науч.-практ. конф., Нальчик, 5–10 июля 2021 г. – Нальчик : Принт Центр, 2021. – С. 123. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола), и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Влияние рельефа и свойств подложки на морфологию нанопроволок GaAs при самокаталитическом росте
- Исследование влияния SF6:СF4 ICP-плазмы на параметры структурированного кремния
- Исследование влияния условий зарождения и роста плёнок GaP на их свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом МЛЭ
- Исследование механизма формирования КТ GaN на поверхности AlN
- Пироэлектрические свойства кристаллов твердых растворов барий-стронциевых ниобатов
- Разработка технологии изготовления массивов подвешенных металлических наномостиков методами штамповой и оптической литографии
- Создание и исследование гибких материалов для мемристорных структур на основе фторографена
- Создание и исследование гибких резистивных структур из композитных слоев на основе графена для сенсорных приложений
- Фотоэлектрические явления в магнитном поле в гетероструктурах n-HgCdTe
- Электронные транспортные свойства в теплостойких полимерных композитах с углеродными нанотрубками
Остались вопросы о направлении?
На них ответят:Остертак Д. И.
Гридчин А. В.