Главная Поступающим Приемная кампания 2025

Об образовательной программе

Направление: 28.04.01 Нанотехнологии и микросистемная техника

Профиль: Материалы микро- и наносистемной техники

Факультет радиотехники и электроники

Главный корпус Института физики полупроводников СО РАН

Технический университет г. Дрезден (Германия)

Количество мест для приема:

Бюджетных: 10
Контрактных: 15
Cтоимость обучения в 2025 году: 220000 рублей в год

Проходной балл :

Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.

Актуальность программы:

«Материалы микросистемной техники» – это направление, связанное с исследованием известных и новых полупроводниковых материалов, таких как графен, углеродные нанотрубки, сверхрешетки, квантовые проволоки и точки. Основной отличительной чертой направления является глубокое погружение в нанотехнологии, разработка и использование программ, моделирующих различные явления в наноструктурах, в том числе физику их роста. Магистры направления работают на самом современном научном оборудовании, включая атомные силовые микроскопы, Фурье-спектрометры, установки с фокусированными ионными и электронными пучками. Магистры направления имеют отличные возможности для подготовки и публикации научных статей высокого уровня, попадающих в высокорейтинговые зарубежные научные журналы. Направление комплектуется в основном бакалаврами с дипломами по направлению «Микро- и наносистемная техника», профиль «Нанотехнология».

Трудоустройство:

Выпускники магистратуры по направлению «Материалы микро- и наносистемной техники» востребованы во многих научно-исследовательских институтах России, среди которых, в частности:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников СО РАН»,
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии СО РАН».
Они также могут работать в таких зарубежных университетах и научно-исследовательских центрах, как:
- Технический университет г. Кемниц (Германия),
- Технический университет г. Дрезден (Германия),
- Институт Макса Планка (Германия),
а также в таких зарубежных корпорациях, как Quorvo, Inc.
Многие из них также могут становиться членами научных сообществ, таких как IEEE, Inc.
Выпускники чаще всего работают в качестве инженеров-конструкторов, инженеров-исследователей или младших научных сотрудников, а также поступают в аспирантуру, совмещая учебу, работу над кандидатской диссертацией и работу в качестве преподавателя.

Основные дисциплины: развернуть свернуть

Места прохождения практик: развернуть свернуть

Публикации студентов: развернуть свернуть

Effect of growth temperature of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers on donor concentration and leakage currents / D. Protasov, D. Milakhin [et al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2023.127459 . - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2024. - Vol. 626. - Art. 127459.

Antonova I. V. Graphene/Hexagonal Boron Nitride CompositeNanoparticles for 2D Printing Technologies / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev. - DOI 10.1002/adem.202100917. - Text : direct // Advanced Engineering Materials. - 2022. - Art. 2100917 (12 p.)

Automation of Piezoresistive Properties Measurements of New Composite Materials / R. S. Kumarbaev, A. A. Fedorov, V. A. Ermakov, V. A. Kolodina, A. V. Nikulin, V. A. Kuznetsov. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855166. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 624-627. - ISBN 978-1-6654-9804-3. - Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation Grant N 21-79-00224.

Composites of Polybenzimidazole with SWCNTs – Temperature Dependences of Resistance / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, E. N. Tkachev [et. al.]. - DOI 10.23919/MIPRO55190.2022.9803348. - Text : direct // 45 Jubilee International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO-2022) : proc., Opatija, Croatia, 23-27 May 2022. - IEEE, 2022. - P. 139-141. - ISBN 978-953-233-103-5.

Conductive graphene-containing biocompatible films / A. S. Buinov, B. C. Kholkhoev, V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich [et al.]. - DOI 10.1007/s12034-024-03261-w. - Text : direct // Bulletin of Materials Science. - 2024. - Vol. 47, iss. 3. - Art. 132.

Detailed morphology and electron transport in reducedgraphene oxide filled polymer composites with asegregated structure / V. A. Kuznetsov, M. V. Gudkov, V. A. Ermakov, K. A. Shiyanova [et al.]. – DOI 10.1002/pssa.202300855. – Text : direct // Physica Status Solidi (A). – 2024. – Vol. 221, iss. 6. – Art. 2300855 (7 p.). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of theRussian Federation project N 121031700314-5.

Engineering of graphene-based composites with hexagonal boron nitride and PEDOT:PSS for sensing applications / I. V. Antonova, D. A. Poteryayev, A. A. Buzmakova [et al.]. – DOI 10.1039/D3CP05953G. – Text : direct // Physical Chemistry Chemical Physics. – 2024. – Vol. 26, iss. 9. – P. 7844–7854.

Graphene: Hexagonal Boron Nitride Composite Films with Low-Resistance for Flexible Electronics / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev, А. А. Buzmakova [et. al.]. - DOI 10.3390/nano12101703. - Text : direct // Nanomaterials. - 2022. - Vol.12, iss.10. - Art. 1703 (12 p.).

High-temperature electrically conductive polymer composites with single-walled carbon nanotubes / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. C. Kholkhoev, E. N. Tkachev [et al.]. – DOI 10.1134/S0036023622602513. – Text : direct // Russian Journal of Inorganic Chemistry. – 2023. – Vol. 68, iss. 2. – P. 221–226. – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foun-dation Grant N 21-79-00224.

Kuznetsov V. A. Effect of the Type of a High-Temperature Polymer Matrix on the Morphology and Electrical Conductivity of Composites with SWCNTs / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, B. Ch. Kholkhoev, E. Yu. Gerasimov, V. F. Burdukovskii. - DOI 10.1134/S0022476623070053. - Text : direct // Journal of Structural Chemistry. - 2023. - Vol. 64, iss. 7. - P. 1212-1219.

Mantsurova S. V. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1016/j.surfin.2023.103193. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2023. - Vol. 41. - Art. 103193.

Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate / S. V. Kudrich, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, A. A. Spirina. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855049. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 6-10. - ISBN 978-1-6654-9804-3.

Multifunctional graphene-based coating on fishing lines / A. I. Ivanov, I. V. Antonova, A. A. Buzmakova [et al.]. – DOI https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.116190. – Text : direct // Sensors and Actuators. A: Physical. – 2025. – Vol. 383. – Art. 116190 (7 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation (project No. 22–19-00191).

Nanolithography of Amorphous Vanadium Oxide Films Using an Atomic Force Microscope / A. I. Komonov, N. D. Mantsurov, S.V. Mutilin [et. all] ; [sci. ed. N. L. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855164. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 20-24. - ISBN 978-5-7782-4288-3.

Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of alternate pulsed epitaxial growth of gaas nanowires / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1002/pssb.202100641. – Text : direct // Physica Status Solidi (B). – 2022. – Vol. 259, iss. 11. – Art. 2100641 (8 p). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Educationand Science of the Russian Federation (project no. 0242-2021-0008).

Photoelectromagnetic Phenomena in n-type HgCdTe Heterostructures / V. A. Kuznetsov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko [et al.] ; [sci. ed. D. Y. Protasov]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507591. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 8-11. - ISBN 978-1-6654-1498-2.

Poteryaev D. Н-BN: graphene based high conductive composite films for flexible heterostructures / D. Poteryaev ; [науч. рук. N. Shwartz] ; research adviser I. V. Antonova ; language adviser S. V. Nikroshkina. – Текст : непосредственный // Progress through innovations : тр. 10 междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2022 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – С. 76–78.

Spirina A. A. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, iss. 16. - Р. 2125-2128. - DOI: 10.1134/S1063782619120297. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 18-02-00764).

Strain-Sensing Properties of Chitosan-Based Film Composites / V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich, A. A. Fedorov [et. al.]. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647684. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 5-8. - ISBN 978-1-6654-3408-9.

Tackling residual tensile stress in AlN-on-Si nucleation layers via the controlled Si(111) surface nitridation / D. Milakhin, T. Malin, V. Mansurov, D. Bashkatov [et all]. - DOI 10.1016/j.surfin.2024.104817. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2024. - Vol. 51. - Art. 104817. - This work was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation within the state task FWGW-2022\u20130015 \u201CAmmonia molecular beam epitaxy of GaN heterostructures on silicon substrates for power and microwave transistors\u201D.

Zhikharev P. Conditions for the Formation of Vertical Nanowires and Crystalline Clusters of GaAs during the Self-Catalyzed Growth / P. Zhikharev, A. Nastovjak, N. Shwartz ; [sci. ed. N. L. Shwart]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507696. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 62-66. - 100 copy. - ISBN 978-1-6654-1498-2.

Zhikharev P. V. Effect of mask-film properties on the initial GaAs nanowire growth stages / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz. - DOI 10.1088/1742-6596/2227/1/012015. - Text : electronic // Journal of Physics: Conference Series. - 2022. - Vol. 2227 : 23 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021), 22-26 Nov. 2021. - Art. 012015 (5 p.). - URL: https: // iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2227/1/012015/meta. - Publication date: 25.04.2022. - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Project № 0242-2021-0008).

Zhikharev P. V. Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate [Electronic resource] / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 9-13. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/9153540. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153540. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 18-02- 00764), and by the Russian Academy of Sciences Programs.

Исследование температурных зависимостей электросопротивления композитов сегрегированной структуры на основе поливинилхлорида / В. А. Колодина, В. А. Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 410. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.

Моделирование высокотемпературных отжигов массива нанопроволок GAAS = Simulation of high-temperature annealing of GAAS nanowire array / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - DOI 10.29003/m3071.MMMSEC-2022/71-74. - Текст : непосредственный // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов : материалы 4 междунар. конф., Москва, 24–26 окт. 2022 г. – Москва : МАКС Пресс, 2022. – С. 71–74. - ISBN 978-5-317-06871-4.

Моделирование отжига нанопроволок GAAS / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - Текст : электронный // Нанофизика и наноэлектроника : труды 26 междунар. симпозиума, Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. – Нижний Новгород : Изд-во ННГТУ, 2022. – Т. 2. – С. 944–945. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48209070&selid=49778179 (дата обращения: 26.12.22). - ISBN 978-5-91326-720-7. – Работа Выполнена : при поддержке программы Минобрнауки РФ (№ 0242-2021-0008).

Полимерные композиционные материалы для сенсорной электроники / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // 13 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО–2021) : сб. тез. докл., Новосибирск, 24–25 мая 2021 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2021. – С. 37. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).

Потеряев Д. А. Исследование проводимости пленок на основе композитных наночастиц графен – гексагональный нитрид бора / Д. А. Потеряев ; науч. рук. И. В. Антонова. - Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 226-229. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4565-5.

Температурные зависимости электросопротивления в сегрегированных структурах на основе фторопласта и сверхвысокомолекулярного полиэтилена / В. А. Ермаков, В. А. Кузнецов, М. В. Гудков, К. А. Шиянова ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 392. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.

Тензорезистивные свойства в композитах на основе хитозана / Д. И. Гапич, В. А. Кузнецов, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 370–371. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/ (исследование электрофизических свойств) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта №20-33-90189 Аспиранты (синтез композитов на основе хитозана).

Федоров А. А. Температурные зависимости электросопротивления композитов на основе полибензимидазола / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 388. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.

Федоров А. А. Температурные зависимости электросопротивления композитов с одностенными углеродными нанотрубками / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 478–479. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1. – Работа выполнена : за счет гранта Российского научного фонда №21-79-00224, https://rscf.ru/project/21-79-00224/.

Федоров А. А. Электросопротивление композитов на основе полибензимидазола при повышенных температурах / А. А. Федоров, В. А. Кузнецов ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Материалы 59 международной научной студенческой конференции (МНСК–2021). Физика = Proceedings of the 59 International students scientific conference (ISSC–2021). Physics, Новосибирск, 12–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : ИПЦ НГУ, 2021. – С. 97. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.

Фролов Д. И. Особенности электронного транспорта в слоистом кобальтате YBaCo4O7+x / Д. И. Фролов, Е. Н. Ткачев, В. А. Кузнецов ; науч. рук. Е. Н. Ткачев. - Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 23 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, Томск, 16–19 мая 2022 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2022. – Т. 2. – С. 480–481. - 40 экз. - ISBN 978-5-4387-1072-1.

Электропроводящие полимерные композиционные материалы для электроники – фундаментальные и прикладные аспекты / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // Новые полимерные композиционные материалы. Микитаевские чтения : материалы 17 междунар. науч.-практ. конф., Нальчик, 5–10 июля 2021 г. – Нальчик : Принт Центр, 2021. – С. 123. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола), и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).

Темы выпускных работ: развернуть свернуть

Влияние рельефа и свойств подложки на морфологию нанопроволок GaAs при самокаталитическом росте
Исследование влияния SF6:СF4 ICP-плазмы на параметры структурированного кремния
Исследование влияния конструкции барьерных слоев на основе соединений нитрида алюминия-галлия на электрофизические параметры гетероструктур с двумерным электронным газом
Исследование влияния условий зарождения и роста плёнок GaP на их свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом МЛЭ
Исследование механизма формирования КТ GaN на поверхности AlN
Исследование температурных зависимостей термоЭДС полимерных композитов с одностенными углеродными нанотрубками
Исследование температурных зависимостей электросопротивления и термоЭДС YBaCo2O5+x
Монте-Карло моделирование движения капель золота по поверхностям кремния с разными ориентациями
Пироэлектрические свойства кристаллов твердых растворов барий-стронциевых ниобатов
Разработка и исследование биосенсоров из композитных слоев на основе графена и проводящего полимера PEDOT:PSS
Создание и исследование гибких материалов для мемристорных структур на основе фторографена
Создание и исследование гибких резистивных структур из композитных слоев на основе графена для сенсорных приложений
Температурное поведение долинного эффекта Холла, обусловленное процессами межчастичного рассеяния
Физическая реализация синапс устройства на изоляторе Мотта
Формирование упорядоченных массивов наноструктур оксидов ванадия методом окислительной сканирующей зондовой литографии
Фотоэлектрические явления в магнитном поле в гетероструктурах n-HgCdTe
Электронные транспортные свойства в теплостойких полимерных композитах с углеродными нанотрубками
Электрофизические и магнитные свойства соединения YBaCo3.5Al0.5O7+x с различным содержанием кислорода

Остались вопросы о направлении?

На них ответят:
Остертак Д. И.
Гридчин А. В.

Размещение информации на странице:
Данные из Информационной системы