Главная Поступающим Приемная комиссия Поиск направлений и специальностей

Об образовательной программе

Направление: 28.04.01 Нанотехнологии и микросистемная техника

Профиль: Материалы микро- и наносистемной техники

Факультет радиотехники и электроники

Главный корпус Института физики полупроводников СО РАН

Технический университет г. Дрезден (Германия)

Документы образовательной программы: развернуть свернуть

Количество мест для приема:

Бюджетных: 10
Контрактных: 2
Cтоимость обучения в 2021 году: не указана

Экзамены:

Иностранный язык
Информатика
Электроника, радиотехника и системы связи

Проходной балл 2020:

На бюджет: 162,92

Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.

Актуальность программы:

«Материалы микросистемной техники» – это направление, связанное с исследованием известных и новых полупроводниковых материалов, таких как графен, углеродные нанотрубки, сверхрешетки, квантовые проволоки и точки. Основной отличительной чертой направления является глубокое погружение в нанотехнологии, разработка и использование программ, моделирующих различные явления в наноструктурах, в том числе физику их роста. Магистры направления работают на самом современном научном оборудовании, включая атомные силовые микроскопы, Фурье-спектрометры, установки с фокусированными ионными и электронными пучками. Магистры направления имеют отличные возможности для подготовки и публикации научных статей высокого уровня, попадающих в высокорейтинговые зарубежные научные журналы. Направление комплектуется в основном бакалаврами с дипломами по направлению «Микро- и наносистемная техника», профиль «Нанотехнология».

Трудоустройство:

Выпускники магистратуры по направлению «Материалы микро- и наносистемной техники» востребованы во многих научно-исследовательских институтах России, среди которых, в частности:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников СО РАН»,
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии СО РАН».
Они также могут работать в таких зарубежных университетах и научно-исследовательских центрах, как:
- Технический университет г. Кемниц (Германия),
- Технический университет г. Дрезден (Германия),
- Институт Макса Планка (Германия),
а также в таких зарубежных корпорациях, как Quorvo, Inc.
Многие из них также могут становиться членами научных сообществ, таких как IEEE, Inc.
Выпускники чаще всего работают в качестве инженеров-конструкторов, инженеров-исследователей или младших научных сотрудников, а также поступают в аспирантуру, совмещая учебу, работу над кандидатской диссертацией и работу в качестве преподавателя.

Основные дисциплины: развернуть свернуть

Места прохождения практик: развернуть свернуть

Преподаватели с наибольшей публикационной активностью:

Публикации студентов: развернуть свернуть

Analysis of GaAs nanostructure formation according to vapor-liquid-solid mechanism / N. Shwartz, M. Vasilenko, M. Nesterenko, I. Neizvestny // Physics, chemistry and application of nanostructures : proc. of intern. con. nanomeeting – 2015 : rewiews and short notes, Belerus, Minsk, 26–29 May 2015. – World sci. publ., 2015. – P. 334-337. - ISBN 978-981-4696-51-7.

Examination of concentric GaAs nanorings growth by Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of 25 intern. symp. (NANO-2017), Saint-Petersburg, 26–30 June 2017. – Saint-Petersburg : Acad. Univ., 2017. – P. 280-281. - ISBN 978-5- 7422-5779-0. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.

Knyazeva M. V. Influence of temperature and catalyst drop diameter on GaAs nanowire growth / M. V. Knyazeva, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 19-21.

Kovalev V. M. Exciton Optical Transitions in Quantum Well with Rashba Spin-Orbit Coupling / V. M. Kovalev, M. V. Boev // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2013. - Vol. 97, iss. 3. - P. 131-136.

Lysenko N. I. Analysis of the peculiarities of using multielement photodetector devices for registration of infrared spectra / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 322-325. - ISBN 978-5-94301-628-8 . - DOI: 10.1109/EDM.2016.7538750.

Lysenko N. I. Simulation of the heterodyne method for measurement of the second derivative of the current-voltage characteristic / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 22-25. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 110.1109/EDM.2018.8434961.

Lysenko N. I. Transfer functions of the focal plane arrays linearization / N. I. Lysenko, V. G. Polovinkin // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 338-340. - ISBN 978-1-5090-6687-2.

Milakhin D. S. Chemical kinetics and thermodynamics of the aln crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE / D. S. Milakhin ; research adviser K. S. Zhuravlev, language adviser A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 30 марта 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 213-215. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-3173-3.

Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 16. - P. 2135–2139. - DOI: 10.1134/S1063782618160340. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.

Nastovjak A. Analysis of nanowire diameter variation during MBE self-catalyzed growth: a Monte Carlo simulation / A. Nastovjak, A. Suprunets, N. L. Shwartz // Physics, chemistry and applications of nanostructures : reviews and short notes, proc. of intern. conf. «Nanomeeting–2017», Belarus, Minsk, 30 May – 2 June 2017. – Singapore : World Sci. Publ., 2017. – P. 418-421. - ISBN 978-981-3224-52-0.

Nelyubin I. V. Research of the electrical characteristics polysilicon on insulator thin films / I. V. Nelyubin, O. V. Naumova, B. I. Fomin ; sci. ed. N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 26-29. - 36 copy - ISBN 978-5-94301-628-8.

Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of a high-energy electron beam / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. Mansurov, Y. Galitsin, A. Bakarov ; research adviser K. S. Zhuravlev ; language adviser A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2016 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 90–91. – 160 copy. – ISBN 978-5-7782-2869-6.

Saburova V. I. Modeling of the temperature dependence of polycrystalline-Si conductivity in TCAD Sentaurus environment / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 109-112. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.

Shklyaev A. A. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures / A. A. Shklyaev, A. E. Budazhapova ; [sci. ed. I. E. Antonova] // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2017. - Vol. 57. - P. 18-23. - DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.033.

Simulation of AIIIBV semiconductors annealing and concentric nanorings formation by droplet epitaxy / N. Shwartz, М. Vasilenko, A. Nastovjak, A. Spirina // 19 European Workshop on molecular beam epitaxy : abstr. book, Saint Peterburg, 19–22 March 2017. – Saint Peterburg, 2017. – P. 128 (We-28p).

Spirina A. A. Characteristics of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 26 intern. symp., Republic of Belarus, Minsk, 18–22 June 2018. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2018. – P. 140–141. - ISBN 978-985-7202-35-5. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.

Spirina A. A. Comparative characteristics of GaAs and InAs Langmuir evaporation - Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Defect and Diffusion Forum. - 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 27-32. - DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.27.

Spirina A. A. GaAs substrates langmuir evaporation kinetics / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 35-39. - ISBN 978-1-5386-5020-2 . - DOI: 10.1109/EDM.2018.8435019. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.

Spirina A. A. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. – Vol. 993 : 19 Russian youth conference on physics of semiconductors and nanostructures, opto- and nanoelectronics, Saint Petersburg, 2017. – Art. 012011 (6 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012011. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.

Spirina A. A. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, iss. 16. - Р. 2125-2128. - DOI: 10.1134/S1063782619120297. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 18-02-00764).

Spirina A. A. Simulation of planar nanowire growth based on AIIIBV semiconductors [Electronic resource] / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 36-39. - Mode of access: http:// https://ieeexplore.ieee.org/document/8823490/authors#authors. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-1753-9. - DOI: 10.1109/EDM.2019.8823490.

Spirina A. A. Surface orientation influence on the characteristics of GaAs substrates high-temperature annealing / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // The fourth asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO–NANOMAT 2018) : proc., Vladivostok, 23–28 Sept. 2018. – Vladivostok : Far Eastern Federal Univ., 2018. – P. 125–126. - ISBN 978-5-8044-1556-4. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.

Spirina A. A. Surface orientation influence on the Langmuir evaporation characteristics of GaAs substrates / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Defect and Diffusion Forum. - 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 21-26. - DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.21.

Suprunets A. G. Investigation of self-catalyzed GaAs NW growth by Monte Carlo simulation / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 14-18. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.

Suprunets A. G. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowire growth (Monte Carlo simulation) / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - Vol. 690. - Art. 012011 (7 p.).

Surface morphology transformation during droplet epitaxy growth - Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 23 intern. symp., Saint Petersburg, 22–26 June 2015. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2015. – Р. 204–205. - ISBN 978-5- 7422-4876-7.

TCAD simulation of the influence of grain boundaries on the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, G. N. Kamaev, I. G. Neizvestnyi, A. S. Cherkaev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 8-11. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 10.1109/EDM.2018.8434950.

Vasilenko M. A. Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo simulation) / M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 16-19. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184477.

Vasilenko М. А. Monte Carlo simulation of GaAs nanorings formation by droplet epitaxy / М. А. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016: proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 3-6. - ISBN 978-5-94301-628-8. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ - проект 14.02.00776, 16.31.00120.

Zhikharev P. V. Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate [Electronic resource] / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 9-13. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/9153540. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153540. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 18-02- 00764), and by the Russian Academy of Sciences Programs.

Василенко М. А. Моделирование роста GaAs-наноструктур методом капельной эпитаксии / М. А. Василенко, Н. Л. Шварц // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение : прогр. и материалы 14 междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 29 сент. - 2 окт. 2015 г. - Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2015. – С. 34. - ISBN 978-5-7-103-3126-2.

Василенко М. А. Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) / М. А. Василенко, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 94.

Влияние масштабирования на проводимость поликремниевых мезарезисторов / Г. Н. Камаев, В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, А. С. Черкаев, В. И. Сабурова // Кремний-2018 : тез. докл. 12 конф. и 11 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Черноголовка, 22–26 окт. 2018 г. – Черноголовка, 2018. – С. 65. – ISBN 978-5-6040418-1-9.

Изучение процесса формирования наноструктур А3В5 методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) = Monte Carlo simulation of the formation of AIIIBV nanostructures with the use of droplet epitaxy / М. А. Василенко, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Автометрия. - 2016. – Т. 52, № 5. – С. 111–121. - DOI: 10.15372/AUT20160513.

Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост / М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Физика и техника полупроводников. - 2015. – Т. 49, вып. 1. – С. 63–70.

Ипатов Д. Е. Стенд для измерения характеристик матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона / Д. Е. Ипатов ; науч. рук. И. Г. Неизвестный // Новые информационные технологии в научных исследованиях. НИТ–2017 : материалы 22 Всерос. науч.-техн. конф., студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 15–17 нояб. 2017 г. – Рязань : Изд-во РГРУ, 2017. – С. 285–286. - 300 экз. - ISBN 978-57722-0274-6.

Кnyazeva M. V. Examination of catalytic GaAs nanowire growth by Monte Carlo simulation / M. V. Кnyazeva, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 20140 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 54-56. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.-DOI: 10.1109/EDM.2014.6882476

Каталитический и самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs (Монте-Карло моделирование) / М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Нанофизика и наноэлектроника : тр. 18 междунар. симп., Нижний Новгород, 10–14 марта 2014 г. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегород. гос. ун-та, 2014. – Т. 2. секция 3. – С. 680–681.

Лысенко Н. И. Реализация гетеродинного метода измерения первой и второй производных вольт-амперной характеристики с помощью LABVIEW RIO EVALUATION KIT / Н. И. Лысенко, А. Е. Настовьяк ; науч. рук. В. Г. Половинкин // Научная сессия ТУСУР–2018 : сб. избр. ст. научной сессии ТУСУР : по материалам междунар. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 16–18 мая 2018 г. В 3 ч. – Томск : В-Спектр, 2018. – Ч. 2. – С. 57–59. – ISBN 978-5-91191-384-7.

Моделирование температурной зависимости проводимости поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = Modeling of the Temperature Dependence of Polycrystalline-Si Conductivity in TCAD Sentaurus Environment / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев, В. А. Гридчин // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 39–42. – 45 экз. – ISBN 978-5-7782-3616-5.

Нелюбин И. В. Исследование электрических свойств тонких пленок поликремния на изоляторе / И. В. Нелюбин ; науч. рук. Н. А. Наумова // Дни науки НГТУ–2016 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2015–2016 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 53–55. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-3038-5.

Пономарёв К. Е. Удаленный мониторинг параметров оборудования и сбора данных с датчиков в подземных объектах / К. Е. Пономарёв ; науч. рук. В. А. Гридчин // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 1–5 дек. 2015 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – Ч. 6. – С. 35–36. - 40 экз. - ISBN 978-5-7782-2766-8, 978-5-7782-2772-9.

Решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV = Lattice Monte Carlo model of Langmuir evaporation of AIIIBV semiconductors / А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Вычислительные технологии = Vychislitel'nye tekhnologii. – 2018. – Т. 23, № 6. – С. 80–92. – DOI: 10.25743/ICT.2018.23.6.008. – Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-31-00120) и прогр. Президиума РАН (№ 00023).

Сабурова В. И. Моделирование температурной зависимости проводимости пленок поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = TCAD simulation of the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев // Физика твердого тела : сб. материалов 16 Рос. науч. студ. конф., Томск, 17–20 апр. 2018 г. – Томск: Изд-во НТЛ, 2018. – С. 225–227. - 100 экз. - ISBN 978-5-89503-616-7.

Спирина А. А. Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование) [Электронный ресурс] / А. А. Спирина, Н. Л. Шварц // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 133. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. – Загл. с экрана. – ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-133. – Работа выполнена при поддержке программ РАН.

Супрунец А. Г. Монте-Карло моделирование эффекта выравнивания диаметров нитевидных нанокристаллов InAs в процессе самокаталитического роста / А. Г. Супрунец, Н. Л. Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 29–32. - ISBN 978-5-7782-2849-8.

Условия формирования концентрических наноколец методом капельной эпитаксии / М. А. Василенко, A. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // 8 Российская конференция по физике полупроводников : тез. докл., Екатеринбург, 2–6 окт. 2017 г. – Екатеринбург : Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, 2017. – С. 118. - 160 экз. - ISBN 978-5-9500855-0-5.

Шварц Н. Л. Монте-Карло моделирование роста полупроводниковых наноструктур / Н. Л. Шварц, М. А. Василенко, А. Г. Супрунец // 2 Байкальский материаловедческий форум : материалы Всерос. науч. конф. с междунар. участием, Улан-Удэ, 29 июня – 5 июля 2015 г. – Улан-Удэ : Изд-во Бурятского научного центра СО РАН. – 2015. – Ч. 2. – C. 155–157. - ISBN 978-5-7925-0469-1.

Темы выпускных работ: развернуть свернуть

Влияние электронного пучка на процесс нитридизации сапфира
Изучение процесса преобразования морфологии поверхности полупроводников AIIIBV при высокотемпературных отжигах с помощью моделирования
Изучение процесса формирования наноструктур соединений А3В5 методом капельной эпитаксии с помощью моделирования
Исследование белковых покрытий для биосенсорных применений методами эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии
Исследование влияния H2/N2 плазмы на свойства тонких пленок поликремния
Исследование влияния границ раздела на проводимость пленок поликристаллического кремния с помощью моделирования в среде TCAD Sentaurus
Исследование морфологии поверхностей, формируемых в процессе осаждения Ge на Si(100) при высоких температурах
Исследование пористого германия, полученного путем структурно-химических модификаций его монооксида
Исследование сегнетоэлектрических свойств плёнок Hf(Zr)O2 синтезированных методом атомнослоевого осаждения
Моделирование самокаталитического роста InAs нитевидных нанокристаллов методом Монте-Карло
Разработка и реализация гетеродинного метода измерения нелинейности характеристик приборов и структур
Разработка нейроморфного акселератора
Разработка технологии изготовления массивов подвешенных металлических наномостиков методами штамповой и оптической литографии
Система мониторинга параметров оборудования в подземных объектах
Создание и свойства планарных барьерных структур на основе плёнок Pb1-xSnxTe:In
Схема считывания ИК ФПУ с функцией активного определения дальности

Остались вопросы о направлении?

На них ответят:
Остертак Д. И.
Гридчин А. В.

Размещение информации на странице:
Данные из Информационной системы