Об образовательной программе
Направление: 11.03.04 Электроника и наноэлектроника
Профиль: Микроэлектроника и наноэлектроника
Факультет радиотехники и электроники
Документы образовательной программы: развернуть свернуть
Количество мест для приема:
Бюджетных: 90Контрактных: 20
Cтоимость обучения в 2021 году: не указана
Экзамены:
- 1. Русский язык
- 2. Математика
- 3. Физика или Информатика и информационно-коммуникационные технологии
Проходной балл 2020:
На бюджет: 143Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
Микроэлектроника – это высокотехнологичная область электроники, занимающаяся проблемами проектирования, производства и применения всех видов полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, однокристальных ЭВМ, систем связи, бытовой электроники и медицинской аппаратуры.Профиль «Микроэлектроника и наноэлектроника» направления 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» предусматривает подготовку специалистов на базе фундаментальных теоретических и технических знаний, углубленного изучения вычислительной техники и информационных технологий. При подготовке специалистов профильной направленности «Микроэлектроника и наноэлектроника» особое внимание уделяется также проектированию и моделированию приборов и процессов с использованием современных систем автоматизированного проектирования.
Для обновления кадрового состава на НЗПП с ОКБ совместно с НГТУ создан учебный класс по освоению САПР CADENCE и Sentaurus TCAD.
Трудоустройство:
При подготовке специалистов, особенно на заключительных этапах, реализован принцип индивидуальности обучения. Это позволяет нашим выпускникам работать на любых предприятиях и фирмах, связанных с конструированием и эксплуатацией электронной аппаратуры, применением компьютерных технологий и различных автоматизированных систем.Уже сегодня о своей потребности в выпускниках данного направления заявляют такие предприятия и учреждения, как:
1. АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ» (АО «НЗПП с ОКБ»),
2. АО «Научно-производственное предприятие «Восток» (АО «НПП «Восток»),
3. Aкционерное общество «Новосибирский завод Радиодеталей «Оксид»,
4. ООО «Научно-производственная фирма «Гранч» (НПФ «Гранч», ООО),
5. Закрытое акционерное общество «Радио и микроэлектроника» (ЗАО «РиМ»),
6. Общество с ограниченной ответственностью «СибИС» (ООО «СибИС»),
7. Институт физики полупроводников СО РАН,
8. Институт неорганической химии СО РАН,
9. Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
10. Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Основные дисциплины: развернуть свернуть
- Введение в направление
- Информатика
- Информационные технологии
- Квантовая и оптическая электроника
- Квантовая механика и статистическая физика
- Компоненты микросистемной техники
- Компоненты электронной техники
- Математическое моделирование электронных систем
- Материаловедение наноструктурированных материалов
- Материалы электронной техники
- Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем
- Методы математического моделирования
- Методы математической физики
- Метрология, стандартизация и сертификация
- Микрооптика и фотоника
- Микропроцессорные устройства
- Микроэлектромеханика
- Моделирование и проектирование микро- и наносистем
- Основы конструирования и технологии производства электронных средств
- Основы проектирования электронной компонентной базы
- Основы систем автоматизированного проектирования больших интегральных схем
- Прикладная механика
- Проектная деятельность
- Процессы планарной технологии
- Схемотехника
- Твердотельная электроника
- Технология компонентов микро- и наносистемной техники
- Физика конденсированного состояния
- Физика полупроводников
- Физика полупроводниковых приборов
- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии
- Физические основы микро- и наносистемной техники
- Цифровая обработка сигналов
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, АО, г.Новосибирск
- Научно-производственное предприятие "Восток", АО, г. Новосибирск
- Радио и Микроэлектроника, АО, г. Новосибирск
- ФайберТрейд, ООО, г.Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
Преподаватели с наибольшей публикационной активностью:
- Антонова Ирина Вениаминовна
- Климов Александр Эдуардович
- Ковалёв Вадим Михайлович
- Ткаченко Виталий Анатольевич
- Шварц Наталия Львовна
Проекты студентов: развернуть свернуть
- Анализ, исследование и проектирование КМОП- технологического маршрута и электрофизических параметров транзисторов на объемном кремнии
- Люминесценция многослойных структур CaF2/Si/CaF2
- Проектирование АЛУ 74181 на базе БМК и ПЛИС
- Проектирование и разработка конструкции волоконно-оптических трансиверов работающих на дистанции до 10 км
- Разработка и совершенствование электрических и логических схем АЛУ
- Разработка планарного микронасоса
- Создание излучателей на основе сверхрешеток CaF2/Si
- Создание излучателей на основе сверхрешеток CaF2/Si
- Субмикронный учебный КМОП-технологический маршрут: анализ, исследование и проектирование
- Эффект масштабирования геометрических параметров тонкопленочных поликремниевых мезарезисторов на их проводимость
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Pletnev M. N. Photographic observations of artificial satellites of the earth and cosmic waste, which appeared as a result of the missile-space activity of humanity / M. N. Pletnev; research adviser: T. V. Kachina, A. G. Grigoryev; language adviser E. V. Guzheva // Progress through Innovations : тр. 7 междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 29 марта 2018 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – С. 100–102. – 120 copy. – ISBN 978-5-7782-3510-6.
- Кузнецов М. А. Количественные низкотемпературные модели подвижности в кремнии для слабых полей / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 30 нояб.–4 дек. 2020 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2020. – Ч. 6. – С. 90–92. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4294-4.
- Синицкий Р. Е. Расчет емкости МЭМС с латеральным смещением непараллельных электродов / Р. Е. Синицкий, И. Е. Руденко, В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. научн. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 3–7 дек. 2018 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Ч. 6. – С. 143–148. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-3739-1.
- Эффект нестабильного состояния в МЭМС с латеральным смещением непараллельных электродов / Р. Е. Синицкий, И. Е. Руденко, Д. Б. Колосков, В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. научн. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 3–7 дек. 2018 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Ч. 6. – С. 148–152. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-3739-1.
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Исследование возможности модернизации установок ретуши фотошаблонов для перехода на расширенную номенклатуру прекурсоров отечественного производства
- Исследование возможности модернизации установок ретуши фотошаблонов для перехода на расширенную номенклатуру прекурсоров отечественного производства
- Исследование процесса проектирования интегральной микросхемы 564ЛЕ5В
- Исследование способов улучшения динамических характеристик БИС ПЗУ 64К
- Исследование термоэлектрических свойств CuCrS2-ySey
- Исследование триттера в современных САПР БИС
- Исследование фазовых равновесий двухкомпонентной системы индий-олово методом термического анализа
- Моделирование и разработка режима окисления кремния для формирования знаков для фотолитографии
- Моделирование процесса электростатического соединения кремния со стеклом
- Оценка точности моделирования технологического маршрута КМОПТ
- Проектирование схемы обработки сигналов в САПР "Ковчег 3,04"
- Проектирование схемы обработки сигналов в САПР "Ковчег 3,04"
- Разработка высоковольтных стабилитронов со статической мощностью до 5 Вт
- Разработка и моделирование низковольтной КМОП технологии
- Разработка керамического делителя для стабилизации параметров высоковольтных модулей
- Разработка конструкции и технологии изготовления высоковольтных ограничителей напряжения в металлокерамическом корпусе
- Разработка принципиальной электрической схемы программируемого 4 декадного таймера-секундомера на базе БМК 1546БЦ1У
- Разработка режима сквозного травления для формирования одноосевого акселерометра
- Разработка системы электронного регулирования в установках высокой температуры
- Разработка схемы измерения радиационного фона
- Разработка установки для исследования параметров неравновесных неосновных носителей заряда
- Разработка установки для исследования свойств солнечных панелей
- Разработка электронного регулятора нагревательной системы индукционного типа
Остались вопросы о направлении?
На них ответит:Остертак Д. И.