Об образовательной программе
Направление: 11.03.04 Электроника и наноэлектроника
Профиль: Микроэлектроника и наноэлектроника
Факультет радиотехники и электроники
Количество мест для приема:
Бюджетных: 88Контрактных: 20
Cтоимость обучения в 2025 году: 185700 рублей в год
Экзамены:
-
1
- Русский язык 2
- Математика (профильный уровень)
- 3Физика или Информатика
Проходной балл 2024:
На бюджет: 154На контракт: 152
Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
Микроэлектроника – это высокотехнологичная область электроники, занимающаяся проблемами проектирования, производства и применения всех видов полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, однокристальных ЭВМ, систем связи, бытовой электроники и медицинской аппаратуры.Профиль «Микроэлектроника и наноэлектроника» направления 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» предусматривает подготовку специалистов на базе фундаментальных теоретических и технических знаний, углубленного изучения вычислительной техники и информационных технологий. При подготовке специалистов профильной направленности «Микроэлектроника и наноэлектроника» особое внимание уделяется также проектированию и моделированию приборов и процессов с использованием современных систем автоматизированного проектирования.
Для обновления кадрового состава на НЗПП с ОКБ совместно с НГТУ создан учебный класс по освоению САПР CADENCE и Sentaurus TCAD.
Трудоустройство:
При подготовке специалистов, особенно на заключительных этапах, реализован принцип индивидуальности обучения. Это позволяет нашим выпускникам работать на любых предприятиях и фирмах, связанных с конструированием и эксплуатацией электронной аппаратуры, применением компьютерных технологий и различных автоматизированных систем.Уже сегодня о своей потребности в выпускниках данного направления заявляют такие предприятия и учреждения, как:
1. АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток» (АО «НЗПП Восток»),
2. Aкционерное общество «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»,
3. ООО «Научно-производственная фирма «Гранч» (НПФ «Гранч», ООО),
4. Закрытое акционерное общество «Радио- и микроэлектроника» (ЗАО «РиМ»),
5. Общество с ограниченной ответственностью «СибИС» (ООО «СибИС»),
6. Институт физики полупроводников СО РАН,
7. Институт неорганической химии СО РАН,
8. Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
9. Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Основные дисциплины: развернуть свернуть
- Информационные технологии в профессиональной деятельности
- Информационные технологии и основы программирования
- Квантовая и оптическая электроника
- Квантовая механика и статистическая физика
- Компоненты электронной техники
- Материаловедение наноструктурированных материалов
- Материалы и методы нанотехнологий
- Материалы микросистемной техники
- Материалы электронной техники
- Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем
- Методы математического моделирования
- Методы математической физики
- Метрология, стандартизация и сертификация
- Микропроцессорные устройства
- Микроэлектромеханика
- Основы конструирования и технологии производства электронных средств
- Основы проектирования электронной компонентной базы
- Программные средства профессиональной деятельности
- Проектная деятельность
- Специальные главы твердотельной электроники
- Схемотехника
- Твердотельная электроника
- Технология компонентов микро- и наносистемной техники
- Физика конденсированного состояния
- Физика полупроводников
- Физика полупроводниковых приборов
- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии
- Физические основы микро- и наносистемной техники
- Цифровая обработка сигналов
- Элементы и приборы наноэлектроники
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток, АО, г.Новосибирск
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, АО, г.Новосибирск
- Научно-производственное предприятие "Восток", АО, г. Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- СибИС, ООО, г.Новосибирск
- Радио и Микроэлектроника, АО, г. Новосибирск
- Мотив, ООО, г.Новосибирск
- ФайберТрейд, ООО, г.Новосибирск
Проекты студентов: развернуть свернуть
- Люминесценция многослойных структур CaF2/Si/CaF2
- Проектирование АЛУ 74181 на базе БМК и ПЛИС
- Проектирование и разработка конструкции волоконно-оптических трансиверов работающих на дистанции до 10 км
- Разработка и совершенствование электрических и логических схем АЛУ
- Разработка планарного микронасоса
- Создание излучателей на основе сверхрешеток CaF2/Si
- Создание излучателей на основе сверхрешеток CaF2/Si
- Субмикронный учебный КМОП функциональный блок: анализ, исследование и проектирование
- Субмикронный учебный КМОП-технологический маршрут: анализ, исследование и проектирование
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Chitosan-based film composites as tunable strain sensors / V. A. Kuznetsov, A. A. Fedorov, D. V. Pobelenskaya, A. D. Byalik [et al.]. – DOI 10.1016/j.sna.2025.116502. – Text : direct // Sensors and Actuators. A: Physical. – 2025. – Vol. 388. – Art. 116502 (5 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation Grant No. 24–79–10223.
- Features of the voltage divider for kinetic energy storage devices and hydrogen batteries / V. P. Dragunov, D. I. Ostertak, D. M. Kazymov, E. Y. Kovalenko. – DOI 10.1016/j.ijhydene.2024.03.360. – Text : direct // International Journal of Hydrogen Energy. – 2024. – Vol. 65. – P. 582–592. – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation (Project number: 23-29-10182).
- Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD SENTAURUS = Investigating physical model interface in the tcad sentaurus environment / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Д. И. Остертак // Сборник научных трудов Новосибирского государственного технического университета = Transaction of scientific papers of the Novosibirsk state technical university. – 2020. – № 3 (98). – С. 39–48. – DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.
- Кузнецов М. А. Количественные низкотемпературные модели подвижности в кремнии для слабых полей / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 30 нояб.–4 дек. 2020 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2020. – Ч. 6. – С. 90–92. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4294-4.
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Анализ ловушек носителей зарядов, формирующихся в пленках SiO2, имплантированных ионами In+ и As+, в условиях ионно-лучевого синтеза наночастиц InAs
- Влияние свойств полупроводниковой гетероструктуры однофотонных лавинных фотодиодов на их работоспособность и параметры
- Вольт-амперные характеристики однофотонных лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP и проектирование лазерного модуля для измерительного стенда
- Излучатели на основе квантовых точек Ge/Si (связанные состояния в континууме в спектрах излучения)
- Исследование влияния релаксационных процессов в соединениях YBaCo2O5+X на их электрофизические свойства
- Исследование кремниевых тензорезистивных структур на основе нитевидных кристаллов
- Исследование оптических явлений в многослойных структурах Si/Ca/F2
- Исследование структур с GeSi квантовыми точками, встроенными в фотонные кристаллы
- Исследование температурных зависимостей термоэдс композитов на основе оксидных термоэлектриков и многослойных углеродных нанотрубок
- Исследование температурных зависимостей электропроводности композитов на основе оксидных термоэлектриков и многослойных углеродных нанотрубок
- Исследование фазовых шумов петли ФАПЧ методом поведенческого моделирования
- Математическое моделирование мощных кремниевых приборов
- Моделирование формирования нанокластеров GaN методом капельной эпитаксии на подложке Si(111)
- Моделирование функции преобразования волоконно-оптических датчиков механических величин, использующих AWG структуры
- Модификация моделей электрофизических параметров для моделирования МОП-транзисторов в криогенном диапазоне температур
- Получение и исследование слоев CaF2 и BaF2 на сапфировой подложке
- Пространственно-упорядоченные GeSi наноостровки, встроенные в дисковые резонаторы
- Разработка аналого-цифрового преобразователя последовательного приближения
- Разработка лабораторного стенда для практического моделирования микропроцессорных устройств
- Разработка топологии высоковольтного операционного усилителя по субмикронной технологии
- Распределение напряженности электрического поля в КНИ-нанопроволочных сенсорах с диэлектрофоретическим управлением
- Синтез тонких пленок оксида ванадия и гафния методом атомно-слоевого осаждения
- Формирование силицидных контактов на установке магнетронного распыления конвейерного типа
- Формирование структур с квантовыми точками в гетеросистеме GaSb/AlP методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Электрохимическое профилирование n+/n GaAs структур
Остались вопросы о направлении?
На них ответит:Остертак Д. И.