Об образовательной программе
Направление: 28.03.01 Нанотехнологии и микросистемная техника
Профиль: Микросистемная техника
Факультет радиотехники и электроники
Документы образовательной программы: развернуть свернуть
Количество мест для приема:
Бюджетных: 36Контрактных: 15
Cтоимость обучения в 2021 году: не указана
Экзамены:
- 1. Русский язык
- 2. Математика
- 3. Физика или Информатика и информационно-коммуникационные технологии
Проходной балл 2020:
На бюджет: 151Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
Микросистемная техника возникла в последней трети XX века и представляет собой новое, исключительно быстро развивающееся техническое направление. По мнению ученых, в ХXI веке микросистемная техника совершит примерно такую же научно-техническую революцию, какую в XX веке совершила микроэлектроника.Направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» профильной направленности «Микросистемная техника» предусматривает подготовку специалистов на базе фундаментальных теоретических и технических знаний, углубленного изучения вычислительной техники и информационных технологий.
При подготовке специалистов особое внимание уделяется как приобретению студентами практического опыта работы с современными микросистемами, так и изучению новейших систем автоматизированного проектирования – TCAD, CADENCE, ANSYS.
Трудоустройство:
При подготовке специалистов, особенно на заключительных этапах, реализован принцип индивидуальности обучения. Это позволяет нашим выпускникам работать на любых предприятиях и в фирмах, связанных с конструированием и эксплуатацией электронной аппаратуры, применением компьютерных технологий и различных автоматизированных систем.Уже сегодня о своей потребности в выпускниках данного направления заявляют такие предприятия и учреждения, как:
1. АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ» (АО «НЗПП с ОКБ»),
2. АО «Научно-производственное предприятие «Восток» (АО «НПП «Восток»),
3. Aкционерное общество «Новосибирский завод Радиодеталей «Оксид»,
4. ООО научно-производственная фирма "Гранч" (НПФ «Гранч», ООО),
5. Закрытое акционерное общество «Радио и микроэлектроника» (ЗАО «РиМ»),
6. Общество с ограниченной ответственностью «СибИС» (ООО «СибИС»),
7. Институт физики полупроводников СО РАН,
8. Институт неорганической химии СО РАН,
9. Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
10. Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Основные дисциплины: развернуть свернуть
- Введение в направление
- Информационные технологии
- Квантовая и оптическая электроника
- Квантовая механика и статистическая физика
- Компоненты электронной техники
- Материаловедение наноструктурированных материалов
- Материалы микросистемной техники
- Материалы электронной техники
- Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем
- Методы математического моделирования
- Методы математической физики
- Метрология, стандартизация и сертификация
- Микрооптика и фотоника
- Микропроцессорные устройства
- Микроэлектромеханика
- Моделирование и проектирование микро- и наносистем
- Основы конструирования и технологии производства электронных средств
- Основы проектирования электронной компонентной базы
- Основы технологии электронной компонентной базы
- Планирование и обработка эксперимента
- Прикладная механика
- Проектная деятельность
- Процессы планарной технологии
- Схемотехника
- Твердотельная электроника
- Технология компонентов микро- и наносистемной техники
- Физика конденсированного состояния
- Физика полупроводников
- Физика полупроводниковых приборов
- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии
- Физические основы микро- и наносистемной техники
- Электродинамика
- Элементная база электроники
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Научно-производственное предприятие "Восток", АО, г. Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, АО, г.Новосибирск
- НПО "Гранч", ООО, г.Новосибирск
- Институт ядерной физики им. Будкера СО РАН , ФГБУН, г.Новосибирск
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- ФайберТрейд, ООО, г.Новосибирск
- Информационные спутниковые системы им. академика М.Ф. Решетнева, ОАО, г.Железногорск Красноярского края
- Швабе - Приборы, АО, г.Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
Преподаватели с наибольшей публикационной активностью:
- Антонова Ирина Вениаминовна
- Климов Александр Эдуардович
- Ковалёв Вадим Михайлович
- Ткаченко Виталий Анатольевич
- Шварц Наталия Львовна
Проекты студентов: развернуть свернуть
- Анализ, исследование и проектирование КМОП- технологического маршрута и электрофизических параметров транзисторов на объемном кремнии
- Люминесценция многослойных структур CaF2/Si/CaF2
- Моделирование микросистемного сенсора теплового потока
- Субмикронный учебный КМОП-технологический маршрут: анализ, исследование и проектирование
- Эффект масштабирования геометрических параметров тонкопленочных поликремниевых мезарезисторов на их проводимость
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Драгунов В. П. Влияние непараллельности электродов на характеристики МЭМС в режиме с контролируемым зарядом = Influence of electrode nonparallelism on MEMS characteristics in a controlled charge mode / В. П. Драгунов, Р. Е. Синицкий, Д. Е. Киселев // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. - 2017. - № 1 (34). - С. 58-71. - DOI: 10.17212/1727-2769-2017-1-58-71.
- Драгунов В. П. Исследование МЭМС-генераторов энергии со встроенным зарядом = Research of MEMS-generators of energy with the built-in charge / В. П. Драгунов, Д. И. Лойко // Сборник научных трудов Новосибирского государственного технического университета. - 2016. – № 1(83). – С. 76–89. - DOI: 10.17212/2307-6879-2016-1-76-89.
- Половинкин И. В. Социально-экономические проблемы организации труда рабочих старших возрастных групп в условиях пенсионной реформы в Российской федерации = Socio-economic problems of organization of the workers of older age groups in terms of the pension reform in the Russian federation / И. В. Половинкин, Е. В. Матюшенко // Инновационный менеджмент и технологическое предпринимательство = Innovation management and technology entrepreneurship : материалы Всерос. молодежного науч. форума, Новосибирск, 12–14 нояб. 2015 г. : в 2 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – Т. 2. – С. 151–157. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-2784-2, 978-5-7782-2782-8 (Т. 2).
- Рогатко И. В. Разработка испытательного стенда и исследование характеристик МЭМС сенсора теплового потока / И. В. Рогатко, О. В. Лобач // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 192–195. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
- Синицкий Р. Е. Электретный микрогенератор с режимом автостабилизации напряжения / Р. Е. Синицкий ; науч. рук. В. П. Драгунов // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 10 ч., Новосибирск, 4–8 дек. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – Ч. 6. – С. 81-84. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-3418-5, ISBN 978-5-7782-3424-6 (ч. 6).
- Халькогениды переходных металлов в качестве чувствительных элементов газовых сенсоров = Transition metal chalcogenides as sensitive elements for gas sensors / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, М. А. Наберухин, А. С. Бердинский [и др.] // Сборник научных трудов Новосибирского государственного технического университета = Transaction of scientific papers of the Novosibirsk state technical university. - 2018. – № 3–4 (93). – 136–146. – DOI: 10.17212/2307-6879-2018-3-4-136-146. – Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 14-13-00674)
- Чистяков Д. А. Применение МЭМС акселерометра для анализа двигательной активности человека / Д. А. Чистяков, И. С. Дубков // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 143-147. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Использование МЭМС датчиков для определения режима активности объекта по характерным частотам в спектрах ускорений
- Исследование возможности получения малоёмкостных ограничителей напряжения по планарной технологии
- Исследование и анализ ионного легирования на основе эффекта Холла
- Исследование и моделирование процесса окисления поликремния для микросхем памяти
- Исследование и разработка методики контроля малых доз ионного легирования
- Исследование и разработка тензометра на основе поликристаллического кремния
- Исследование модулей DWM1000 для системы позиционирования в шахте
- Исследование оптических свойств кремния методом ИК спектроскопии
- Исследование плазмохимического травления AlGaN и GaN структур
- Исследование процесса изготовления интегральной микросхемы 1526ТМ2
- Исследование процесса осаждения поликремния легированного фосфором в процессе роста
- Исследование расхождения результатов моделирования триттера в разных САПР
- Исследование способа сбора и обработки данных с системы МЭМС микрофонов
- Конечно-элементное моделирование тензочувствительных модулей с измерительной схемой распределённого типа
- Моделирование и анализ характеристик МЭМС на основе модифицированных схем дупликатора Беннета
- Моделирование скорости процесса плазмохимического травления кремния
- Оптимизация ограничителя напряжения, изготовленного по мезотехнологии
- Оптимизация ограничителя напряжения, изготовленного по мезотехнологии
- Разработка атермального AWG мультиплексора
- Разработка измерительного стенда сенсора теплового потока
- Разработка модуля передачи данных с элементов сенсорной сети
- Разработка программного комплекса для промышленного программатора на базе микроконтроллера EFM8UB1
- Разработка стенда для диагностики процессорного модуля стационарного датчика газа
- Реактивное ионное травление пленок SiO2 и Si3N4
- Схемотехническое моделирование переходного процесса на выходе операционного усилителя
Остались вопросы о направлении?
На них ответит:Остертак Д. И.