8 учебная неделя
pk@nstu.ru, +7 (383) 319 59 99 — приёмная комиссия

Микро- и наноэлектромеханические системы

Основатели школы



Городецкий Александр Фомич
канд. техн. наук, профессор
заведующий кафедрой полупроводниковых приборов и микроэлектроники (1960–1968 гг.)



Шадрин Владимир Степанович
д-р техн. наук, профессор
заслуженный работник НГТУ
член-корреспондент СО АН высшей школы
заведующий кафедрой полупроводниковых приборов и микроэлектроники (1968–1996 гг.)



Гридчин Виктор Алексеевич
д-р техн. наук, профессор,
заслуженный работник НГТУ
заслуженный работник высшей школы РФ
член-корреспондент МАН высшей школы
заведующий кафедрой полупроводниковых приборов и микроэлектроники (1996–2009 гг.)




Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники
  • Бердинский Александр Серафимович, канд. техн. наук, доцент
  • Бялик Александр Давидович, канд. техн. наук, доцент
  • Величко Александр Андреевич, д-р техн. наук, профессор
  • Васильев Владислав Юрьевич, д-р хим. наук, профессор
  • Гридчин Александр Викторович, канд. техн. наук, доцент
  • Драгунов Валерий Павлович, д-р техн. наук, профессор
  • Зиновьев Вадим Борисович, канд. техн. наук
  • Илюшин Владимир Александрович, канд. техн. наук, доцент
  • Остертак Дмитрий Иванович, канд. техн. наук, доцент
  • Филимонова Нина Ивановна, канд. техн. наук, доцент
  • Черкаев Алексей Сергеевич, старший преподаватель
  • Лобач Олег Викторович, старший преподаватель
  • Ассистенты, аспиранты, магистранты, бакалавры

Основные результаты
  • Организовано производство изделий микросистемной техники в г. Новосибирске на базе предприятий АО «НЗПП с ОКБ» и АО «НПП «Восток».
  • Разработаны и внедрены модули тензорезистивных сенсоров давления на основе структур nоликремний - диэлектрик - кремний на диапазон температур -60 + +200 °С с общей погрешностью измерений не более 1 %. Сенсоры имеют принципиально новую топологию и разработаны под ряд давлений от 1 до 100 атм.
  • Впервые в России разработаны модули сенсоров давления на диапазон температур до 400 °С на структурах монокристаллический кремний - диэлектрик - монокристаллический кремний.
  • Исследованы теоретические аспекты работы микроэлектромеханических генераторов электрической энергии и разработаны технологические вопросы их изготовления.
  • С 2015 года участники научной школы являются руководителями отдельных секций конференции, где с обзорными докладами выступают профессора университетов Китая, Южной Кореи, Германии, США и университетов Москвы и Санкт-Петербурга.
  • Участники научной школы являются организаторами 3-х конференций по Наноэлектронике и нанотехнологиям для молодых ученых.

Основные публикации

  • Васильев В.Ю. Глава 1. Анализ информационных материалов и образцов модульных источников электропитания/ В.Ю. Васильев, А.А. Антонов, И.В. Пичугин // Источники вторичного электропитания с «мягкой» коммутацией силовых ключей / под общ. ред. Ю.Д. Коэляева : монография. - Новосибирск: СО РАН, 2014. - с. 10 - 21.
  • Васильев В. Ю. Глава 3. Разработка макета мощного источника электропитания/ В.Ю. Васильев, А.А. Антонов, И.В. Пичугин// Источники вторичного электропитания с «мягкой» коммутацией силовых ключей/ под общ. ред. Ю.Д. Козляева : монография. - Новосибирск: СО РАН, 2014. - С. 34-46.
  • Гридчин В. А. Введение в физику органических светоизлучающих диодов : учеб. пособие/ В. А. Гридчин, Р. П. Дикарева, Е. А. Макаров. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2015. - 72 с.
  • Остертак Д. И. Микроэлектромеханика : учеб. пособие/ Д. И. Остертак. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2016. -120 с. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-2901-3.
  • Гридчин А. В. Проектирование электронной компонентной базы в ANSYS WORKBENCH : учеб. пособие/ А. В. Гридчин, В . А. Колчужин , В. А. Гридчин. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2016. -83 с. -100 экз. - ISBN 978-5-7782-3138-2
  • Vasilyev V.Y. Ruthenium thin film growth kinetics under thermallyactivated pulsed chemical vapor deposition conditions. Chap. 3. / V.Y. Vasilyev // Advances in Chemistry Research. - New York: Nova Science Publishers, lnc., 2017. -Vol. 39. -Р. 109-140. -ISBN 978-1- 53612-613-6.
Размещение информации на странице:
Управление информационной политики  
Наверх