Об образовательной программе
Направление:
Количество мест для приема:
Бюджетных: 28Контрактных: 10
Cтоимость обучения в 2026 году: 229400 рублей в год
Проходной балл 2026:
На бюджет: 205Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
Микросистемная техника возникла в последней трети XX века и представляет собой новое, исключительно быстро развивающееся техническое направление. По мнению ученых, в ХXI веке микросистемная техника совершит примерно такую же научно-техническую революцию, какую в XX веке совершила микроэлектроника.Направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» профильной направленности «Микросистемная техника» предусматривает подготовку специалистов на базе фундаментальных теоретических и технических знаний, углубленного изучения вычислительной техники и информационных технологий.
При подготовке специалистов особое внимание уделяется как приобретению студентами практического опыта работы с современными микросистемами, так и изучению новейших систем автоматизированного проектирования – TCAD, CADENCE, ANSYS.
Трудоустройство:
При подготовке специалистов, особенно на заключительных этапах, реализован принцип индивидуальности обучения. Это позволяет нашим выпускникам работать на любых предприятиях и в фирмах, связанных с конструированием и эксплуатацией электронной аппаратуры, применением компьютерных технологий и различных автоматизированных систем.Уже сегодня о своей потребности в выпускниках данного направления заявляют такие предприятия и учреждения, как:
1. АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ» (АО «НЗПП с ОКБ»),
2. АО «Научно-производственное предприятие «Восток» (АО «НПП «Восток»),
3. Aкционерное общество «Новосибирский завод Радиодеталей «Оксид»,
4. ООО научно-производственная фирма "Гранч" (НПФ «Гранч», ООО),
5. Закрытое акционерное общество «Радио и микроэлектроника» (ЗАО «РиМ»),
6. Общество с ограниченной ответственностью «СибИС» (ООО «СибИС»),
7. Институт физики полупроводников СО РАН,
8. Институт неорганической химии СО РАН,
9. Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
10. Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Научно-производственное предприятие "Восток", АО, г. Новосибирск
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток, АО, г.Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, АО, г.Новосибирск
- НПО "Гранч", ООО, г.Новосибирск
- Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук, ФГБУН, г.Новосибирск
- ФайберТрейд, ООО, г.Новосибирск
- Информационные спутниковые системы им. академика М.Ф. Решетнева, ОАО, г.Железногорск Красноярского края
- Катод, ООО, г. Новосибирск
- Швабе - Приборы, АО, г.Новосибирск
Проекты студентов: развернуть свернуть
- Анализ, исследование и проектирование КМОП- технологического маршрута и электрофизических параметров транзисторов на объемном кремнии
- Люминесценция многослойных структур CaF2/Si/CaF2
- Моделирование микросистемного сенсора теплового потока
- Субмикронный учебный КМОП-технологический маршрут: анализ, исследование и проектирование
- Эффект масштабирования геометрических параметров тонкопленочных поликремниевых мезарезисторов на их проводимость
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Features of the voltage divider for kinetic energy storage devices and hydrogen batteries / V. P. Dragunov, D. I. Ostertak, D. M. Kazymov, E. Y. Kovalenko. – DOI 10.1016/j.ijhydene.2024.03.360. – Text : direct // International Journal of Hydrogen Energy. – 2024. – Vol. 65. – P. 582–592. – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation (Project number: 23-29-10182).
- Graphene: Hexagonal Boron Nitride Composite Films with Low-Resistance for Flexible Electronics / I. V. Antonova, D. A. Poteryaev, А. А. Buzmakova [et. al.]. - DOI 10.3390/nano12101703. - Text : direct // Nanomaterials. - 2022. - Vol.12, iss.10. - Art. 1703 (12 p.).
- High Sensitivity of Non-Invasive Glucose Sensors Made from Graphene-Based Composite Materials / I. V. Antonova, A. I. Ivanov, (...), A. A. Buzmakova [et al.]. - DOI 10.1134/S2635167624601426 . - Text : direct // Nanobiotechnology Reports. - 2024. - Vol. 19, iss. 6. - P. 993-1001.
- Strain-Sensing Properties of Chitosan-Based Film Composites / V. A. Kuznetsov, D. I. Gapich, A. A. Fedorov [et. al.]. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647684. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 5-8. - ISBN 978-1-6654-3408-9.
- Гапич Д. И. Тензорезистивный эффект в композитах на основе биосовместимого хитозана с малослойным графеном / Д. И. Гапич, А. С. Буинов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. - Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 148-151. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4565-5.
- Гапич Д. И. Тензорезистивный эффект в композитах на основе полибензимидазола с углеродными нанотрубками / Д. И. Гапич, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 322-323. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.
- Полимерные композиционные материалы для сенсорной электроники / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // 13 Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО–2021) : сб. тез. докл., Новосибирск, 24–25 мая 2021 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2021. – С. 37. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола) и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).
- Чухарева А. С. Влияние влажности воздуха на электросопротивление полимерных композитов / А. С. Чухарева, В. А. Кузнецов, Б. Ч. Холхоев ; науч. рук. В. А. Кузнецов. – Текст : непосредственный // Химия и химическая технология в XXI веке : материалы 22 междунар. науч.-практ. конф. студентов и молодых ученых им. выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвящ. 125-летию со дня основания Томского политехн. ун-та, Томск, 17–20 мая 2021 г. : в 2 т. – Томск : Изд-во ТПУ, 2021. – Т. 2. – С. 395-396. – Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018.
- Электропроводящие полимерные композиционные материалы для электроники – фундаментальные и прикладные аспекты / В. А. Кузнецов, А. А. Федоров, Д. И. Гапич, А. С. Чухарева и др. – Текст : непосредственный // Новые полимерные композиционные материалы. Микитаевские чтения : материалы 17 междунар. науч.-практ. конф., Нальчик, 5–10 июля 2021 г. – Нальчик : Принт Центр, 2021. – С. 123. - Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 19-42-543018 (работы по синтезу и исследованию композитов на основе полибензимидазола), и при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-33-90189 Аспиранты (работы по синтезу композитов на основе хитозана).
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Изучение возможности применения кремниевых нанопроволок для создания наноразмерных сенсоров давления
- Исследование волоконно-оптических датчиков температуры на основе AWG-мультиплексоров
- Исследование механических напряжений в двухслойных структурах типа "диэлектрик-металл"
- Исследование особенностей функционирования электростатического вибрационного микрогенератора с кинематическим возбуждением
- Исследование структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных систем Ge на Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование температурных зависимостей электросопротивления композитов на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена с графеном
- Исследование эпитаксиальных структур Ge/Si методом рентгеновской дифрактометрии с построением карт обратного пространства
- Композитные проводящие пленки на основе графена для сенсорных приложений
- Моделирование и исследование сенсора температуры-деформации на основе поверхностных акустических волн
- Модернизация технологического маршрута изготовления вертикального n-МОП транзистора
- Монте-Карло моделирование ростовых процессов на поверхностях полупроводниковых кристаллов с учетом димеризации ковалентных связей
- Оптимизация блока формирования JFET транзистора в составе биполярного технологического маршрута
- Разработка принципиальной электрической схемы видеопамяти на базе БМК
- Разработка принципиальной электрической схемы интегральной микросхемы с тестовыми узлами для исследования их характеристик при криогенных температурах
- Разработка принципиальной электрической схемы стековой памяти типа LIFO
- Разработка режима нанесения подзатворного диэлектрика методом пирогенного окисления
- Разработка схемы входной защиты от электростатического разряда драйвера светодиода
- Синтез вертикально ориентированных массивов углеродных нанотрубок на алюминиевой подложке
- Создание и исследование конечно-элементных моделей механических сенсоров емкостного типа
- Создание и исследование конечно-элементных моделей механических сенсоров тензорезистивного типа
- Тензорезистивный эффект в электропроводящих композитах на основе хитозана
- Установление основных закономерностей зарождения и роста нанокристаллов InSb в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами In+ и Sb+, вблизи границы сращивания Si/SiO2
- Формирование массивов самокаталитических нанокристаллов GaAs на поверхности GaAs(001), закрытой ультратонкими слоями эпитаксиального Si
- Электропроводящие свойства полиакриловых композиционных материалов с углеродными нанотрубками для 3D-печати
Остались вопросы о направлении?
На них ответит:Остертак Д. И.