Об образовательной программе
Направление:
Количество мест для приема:
Бюджетных: 28Контрактных: 5
Cтоимость обучения в 2026 году: 229400 рублей в год
Проходной балл 2026:
На бюджет: 205Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
Наноэлектроника - это новое направление развития микроэлектроники, возникшее в конце XX века на базе последних достижений в области квантовой физики, физики полупроводников и нанотехнологии. Характерными размерами приборов наноэлектроники являются размеры менее 100 нанометров, что вносит существенные изменения в физику работы этих структур. Новые возможности наноэлектроники открывают широкое поле для исследований и разработки технологий ее промышленного изготовления. Направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» с профилем «Нанотехнология» предусматривает подготовку специалистов на базе фундаментальных теоретических и практических знаний о физике наномира, углубленного изучения вычислительной техники и информационных технологий. При подготовке специалистов особое внимание уделяется выполнению научно-исследовательской работы на самом современном исследовательском оборудовании, а также изучению новейших систем автоматизированного проектирования, таких как TCAD и ANSYS.Трудоустройство:
Основной областью деятельности, где знания выпускников специальности будут иметь наибольшую востребованность, является фундаментальная наука. Выпускники специальности «Нанотехнологии и микросистемная техника» с профилем «Нанотехнологии» могут продолжить свое обучение в магистратуре кафедры ППиМЭ по профилю «Материалы микросистемной техники» (группы РНМ), а также в магистратуре при Институте физики полупроводников СО РАН. Знание основ моделирования и разработки различных приборов в различных системах автоматизированного проектирования позволяет выпускникам специальности трудоустроиться на различных предприятиях электронной промышленности Новосибирска и России в целом. Знакомство и практическая работа на современном оборудовании позволяет выпускникам специальности быть интересными и за рубежом. Основные места трудоустройства:1. АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ» (АО «НЗПП с ОКБ»)
2. АО «Научно-производственное предприятие «Восток» (АО «НПП «Восток»)
3. Aкционерное общество «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»
4. ООО «Научно-производственная фирма «Гранч» (НПФ «Гранч», ООО)
5. Закрытое акционерное общество «Радио и микроэлектроника» (ЗАО «РиМ»)
6. Общество с ограниченной ответственностью «СибИС» (ООО «СибИС»)
7. Институт физики полупроводников СО РАН
8. Институт неорганической химии СО РАН
9. Институт автоматики и электрометрии СО РАН
10. Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники».
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток, АО, г.Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, АО, г.Новосибирск
Проекты студентов: развернуть свернуть
- Люминесценция многослойных структур CaF2/Si/CaF2
- Математическое моделирование дискретных и интегральных приборов полупроводниковой микро-и наноэлектроники и разработка технологических процессов их изготовления
- Проектирование и разработка конструкции волоконно-оптических трансиверов работающих на дистанции до 10 км
- Проектирование и сравнение БИС в разных САПР БИС
- Создание излучателей на основе сверхрешеток CaF2/Si
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Kudrich S. V. Gold Drop Formation and Motion over a Si(111) Substrate: Monte Carlo Simulation / S. V. Kudrich, A. A. Spirina, N. L. Shwartz. - DOI 10.3103/S8756699022060061. - Text : direct // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2022. - Vol. 58, iss. 6. - P. 608-615.
- Nastovjak A. G. Simulation of GaAs nanowire annealing / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.commatsci.2023.112310. – Text : direct // Computational Materials Science. – 2023. – Vol. 228. – Art. 112310. – Работа выполнена : при поддержке Russian Ministry of Education and Science (№ 0242-2021-0008).
- Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE / D. D. Bashkatov, D. S. Milakhin [et. al.] ; [sci. ed. N. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855155. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - 5 p. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
- Колотаева Е. Е. Роль межчастичных столкновений в транспортных свойствах двухкомпонентных двумерных электронных систем с параболическим спектром / Е. Е. Колотаева, М. В. Боев. – DOI 10.61011/FTT.2025.10.61964.256-25. – Текст : непосредственный // Физика твердого тела = Fizika tverdogo tela. – 2025. – Т. 67, № 10. – С. 1870–1878.
- Потеряев Д. А. Получение и исследование материалов из композитных наночастиц на основе гексагонального нитрида бора и графена / Д. А. Потеряев, Н. А. Небогатикова, И. В. Антонова ; науч. рук. И. В. Антонова. – Текст : непосредственный // Дни науки НГТУ–2021, посвященные Году науки и технологии : материалы науч. студен. конф., итоги науч. работы студентов за 2020–2021 гг. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – С. 154-158.
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Измерение слоевого сопротивления массивов вертикально ориентированных нанотрубок, синтезированных в различных условиях
- Изучение особенностей процесса экспонирования на установке безмасочной фотолитографии µMLA
- Исследование влияния электрических и оптических импульсов на проводимость VO2 резисторов для нейроморфных схем
- Исследование возможностей аналитического моделирования микросистем с применением специальных математических форм
- Исследование кинетики реакции диспропорционирования пленок GeO оптическими методами
- Исследование морфологии и оптических свойств буферных слоев ZnTe и CdTe методами эллипсометрии и оптической профилометрии
- Исследование морфологии поверхности пленок BiySb2-yTe3-xSex, выращенных методом МЛЭ
- Исследование оптических свойств пленок нестехиометрических оксидов титана
- Исследование особенностей формирования маски и плазмохимического травления волноводных структур на основе арсенидов индия
- Исследование роли межчастичных столкновений в транспортных свойствах двухкомпонентных двумерных электронных систем с параболическим спектром
- Исследование сенсоров дыхания с активным слоем на основе графена
- Исследование формирования нанокристаллов InSb в системе Si-SiO2 с помощью моделирования методом Монте-Карло
- Исследование энергетических распределений горячих фотоэлектронов и спектров отражения мультищелочных Na2KSb(Cs,Sb) фотокатодов
- Моделирование движения капель галлия на отклонённых подложках GaAs(111)А методом Монте-Карло
- Моделирование электромагнитного отклика жидкокристаллических ячеек с массивом пиксельных электродов
- Начальная стадия эпитаксии A3-нитридных гетероструктур на подложках Si(111)
- Определение условий измерения профиля концентрации носителей заряда методом ECV-профилирования в локальной области полупроводника
- Особенности электронного транспорта в слоистых кобальтатах YBaCo4O7+x
- Разработка макета детектора терагерцового излучения на базе пироэлектрической ячейки
- Разработка мемристоров и схем на основе графена для многоуровневых элементов памяти
- Тензорезистивный эффект в двумерных дираковских системах
- Формирование и исследование наноструктур оксидов ванадия методами АСМ
- Формирование капель золота и их движение по поверхности Si(111)
- Формирование микролинз методом безмасковой фотолитографии в оттенках серого цвета
- Эмиссия света двумерными дихалькогенидами переходных металлов
Остались вопросы о направлении?
На них ответит:Остертак Д. И.