Об образовательной программе
Направление:
Количество мест для приема:
Бюджетных: 31Контрактных: 20
Cтоимость обучения в 2026 году: 225300 рублей в год
Проходной балл :
Обращаем внимание, что проходные баллы определяются по итогам зачисления, и каждый год могут меняться как в большую, так и в меньшую сторону.
Актуальность программы:
Микроэлектроника – это современная, быстро эволюционирующая отрасль техники, связанная с разработкой и производством различных интегральных схем, в том числе микропроцессоров, оперативной памяти, измерительных и управляющих приборов (сенсоров и актюаторов), микросистем, систем связи и коммуникаций, различных приборов бытовой и медицинской электроники.Наноэлектроника – это следующий уровень развития микроэлектроники, характеризующийся переходом к размерам порядка 0,1...0,001 микрометра и связанный с глубоким пониманием структуры микромира, в частности, с квантовыми явлениями. В связи с этим для наноэлектроники характерны новые особенности работы приборов и систем, новые возможности и перспективы их использования.
Студенты, поступающие в магистратуру по специальности «Микро- и наноэлектроника», занимаются исследованиями электрофизических свойств новых полупроводниковых материалов в свете их применимости в электронике, научными разработками для нужд аэрокосмической, нефтегазовой и других высокотехнологичных отраслей промышленности, занимаются коммерциализацией своих разработок путем внедрения стартапов.
Трудоустройство:
Выпускники магистратуры по направлению «Микро- и наноэлектроника» имеют достаточно широкое поле для приложения своих знаний на промышленных предприятиях и в научно-исследовательских институтах России и зарубежья. Среди них:- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников СО РАН»,
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии СО РАН»,
- Акционерное общество «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток»,
- Акционерное общество «НПО «Радио и Микроэлектроника»,
- Общество с ограниченной ответственностью «НПФ «Гранч»,
- Общество с ограниченной ответственностью «СибИС».
Выпускники чаще всего работают в качестве инженеров-конструкторов, инженеров-исследователей или младших научных сотрудников, а также поступают в аспирантуру, совмещая учебу, работу над кандидатской диссертацией и работу в качестве преподавателя.
Места прохождения практик: развернуть свернуть
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, АО, г.Новосибирск
- Научно-производственное предприятие "Восток", АО, г. Новосибирск
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, ФГБУН, г.Новосибирск
- Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток, АО, г.Новосибирск
- Новосибирский приборостроительный завод, АО, г.Новосибирск
- СибИС, ООО, г.Новосибирск
- Швабе - Приборы, АО, г.Новосибирск
Публикации студентов: развернуть свернуть
- Koloskov D. B. Investigation of the radiation effect on a 14-bit DAC perfomance / D. B. Koloskov ; sci. ed. A. V. Gluhov ; language advisor E. V. Guzheva. – Текст : непосредственный // Английский язык в сфере профессиональной коммуникации : тез. докл. 6 Всерос. молодеж. науч. конф., Казань, 26 нояб. 2020 г. – Казань : Изд-во ИП Сагиева А. Р., 2020. – C. 109–110.
- Kuznetsov M. A. A Comparison of the Mobility Models Defining MOSFET Threshold Voltage for Low Temperatures / M. A. Kuznetsov, D. I. Ostertak, A. S. Cherkaev. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647509. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 14-17. - ISBN 978-1-6654-3408-9.
- Rudenko I. E. Development of a method for obtaining CaF2/(Si+CaF2)/CaF2/Si heterostructures with observation of photoluminiscence in the visible range / I. E. Rudenko, A. Y. Krupin ; sci. ed. A. A. Velichko ; language advisor E. V. Guzheva. – Текст : непосредственный // Английский язык в сфере профессиональной коммуникации : тез. докл. 6 Всерос. молодеж. науч. конф., Казань, 26 нояб. 2020 г. – Казань : Изд-во ИП Сагиева А. Р., 2020. – C. 140–142.
- Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD Sentaurus = Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Д. И. Остертак. – Текст : электронный // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 22–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2021. – С. 643–649. - URL: https://sibsutis.ru/workgroups/w/group/46/files/Материалы%20конференций/РНТК-2021/Сборник_СПТ_2021.pdf (дата обращения: 29.09.2021). - ISBN 978-5-91434-064-0.
- Кузнецов М. А. Калибровка модели насыщения дрейфовой скорости электронов при низких температурах в среде TCAD Sentaurus / М. А. Кузнецов ; [науч. рук. И. Л. Новиков]. - Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 6. – С. 160–163. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4568-6.
- Кузнецов М. А. Модели низкополевой подвижности носителей заряда в кремнии для криогенного диапазона температур / М. А. Кузнецов ; науч. рук. С. В. Калинин. – Текст : непосредственный // Дни науки НГТУ–2021, посвященные Году науки и технологии : материалы науч. студен. конф., итоги науч. работы студентов за 2020–2021 гг. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – С. 99-102.
Темы выпускных работ: развернуть свернуть
- Исследование влияния условий синтеза и роста на фазовую однородность и оптическую прозрачность кристалла BaGa2GeSe6
- Исследование зависимости реальной структуры кристаллов BaGa4Se7 от условий выращивания
- Разработка микросхемы дозиметра-радиометра
- Создание SPICE модели МОП-транзистора для систем схемотехнического проектирования
- Численное моделирование процессов фазового перехода в наноструктурах диоксида ванадия
Остались вопросы о направлении?
На них ответят:Бялик А. Д.
Остертак Д. И.