Размер шрифта:
Цвета сайта:
Изображения:
Настройки

Новосибирский государственный технический университетОфициальный сайт


Центр коллективного пользования «Материаловедение и нанотехнологии»

 


Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники
Факультет радиотехники и электроники

Оборудование

  • двухкамерная установка молекулярно-лучевой эпитаксии
    назначение: выращивание наноструктурированных монокристаллических слоев полупроводников и диэлектриков, получение структур «кремний на изоляторе» (КНИ)
  • атомно-силовой микроскоп атомарного разрешения
    назначение: исследование поверхности полупроводниковых и диэлектрических слоев
  • аналитический автоэмиссионный электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп
    назначение: исследование наноструктур, нанопрепарирование, электронно-лучевая и ионно-лучевая литография, подготовка сверхтонких срезов
  • комплект электронного оборудования
    назначение: тестирование электрофизических параметров полупроводниковых материалов, наноструктур и приборов микро- и наноэлектроники
  • установка фотолитографии
    назначение: производство интегральных схем, микрорентгеновский анализ

Образовательная деятельность

  • участие в подготовке инженеров по специальностям «Микроэлектроника и твердотельная электроника», «Микросистемная техника», «Фотоника и оптоинформатика (Нанофотоника)»
  • лабораторные работы по дисциплинам «Физика твердого тела и полупроводников», «Опто- и квантовая электроника», «Основы микро- и нанотехнологии», «Методы исследования материалов и наноструктур», «Наноэлектроника», «Многоэлементные фотоприемные устройства и тепловизоры»
  • виртуальные лабораторные работы
  • повышение квалификации специалистов в области материаловедения и нанотехнологий







Научная и научно-производственная деятельность

  • создание базовой технологии получения гетероэпитаксиальных структур «полупроводник на изоляторе» в замкнутом технологическом цикле методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  • разработка научных основ физики и технологии создания монолитных широкоформатных матриц фотоприемных устройств инфракрасного и субмиллиметрового диапазона на основе структур PbSnTe:In на Si с буферными наноразмерными слоями CaF2/BaF2
  • разработка оптических элементов для нанофотоники на основе структур «кремний на изоляторе» Si/CaF2/Si
  • создание тепловизионной аппаратуры высокого разрешения на основе неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств (совместно с НПО «Восток»)

Коллективом центра получены патенты

  • «Емкостный датчик давления», патент № 2251087
  • «Способ измерения малых переменных тепловых потоков», патент № 2274839
  • «Интегральное многоэлементное фотоприемное устройство инфракрасного диапазона», патент № 2278446
  • «Инжекционное светоизлучающее устройство», патент № 2300855

Расположение: IV корпус НГТУ, к. 130
Контактная информация:
Руководитель центра – д.т.н., профессор кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Александр Андреевич Величко
Тел. (383) 346-08-75
Эл. почта: velichko@amber.ref.nstu.ru


Размещение информации на странице   
Информационная служба
     is@nstu.ru