8 учебная неделя
pk@nstu.ru, +7 (383) 319 59 99 — приёмная комиссия

Программа дисциплины

Физические основы электроники (Дисциплины (модули) )

Нагрузка по семестрам
Семестр Кредитов Часов всего Лекций Практических занятий Лабораторных Часов в активной форме Часов консультаций Часов самостоятельной работы Виды самостоятельной работы Отчетность
3 4 144 36 0 18 Э
Перечень формируемых компетенций
ПК17. способностью применять современные теоретические и экспериментальные методы исследования с целью создания новых перспективных средств электросвязи и информатики; организовывать и проводить их испытания с целью оценки соответствия требованиям технических регламентов, международных и национальных стандартов и иных нормативных документов
Перечень формируемых компетенций НГТУ
. Способность анализировать имеющиеся математические модели процессов и явлений окружающего мира и выбирать наиболее адекватную
. Уметь применять приборы СВЧ и оптического диапазона
ОПК.17. уметь применять современные теоретические и экспериментальные методы исследования с целью создания новых перспективных средств электросвязи и информатики; организовывать и проводить их испытания с целью оценки соответствия требованиям технических регламентов, международных и национальных стандартов и иных нормативных документов
Перечень формируемых знаний и умений НГТУ
З. Биполярные и полевые СВЧ транзисторы
З. особенности физических процессов в контактах полупроводников
З. Устройство и физику работы диодов Ганна и лавинно-пролетных диодов
З. Физика работы лазера
З. физические эффекты в полупроводниках
З. элементы зонной теории твердого тела
ОПК.17.З-1.8. устройство и принцип действия, схемы включения и режимы работы приборов, вид статических характеристик и их семейств в различных схемах включения
ОПК.17.З-1.8. физические эффекты и процессы, лежащие в основе принципов действия полупроводниковых, электровакуумных и оптоэлектронных приборов
ОПК.17.У1. Определять и строить основные статические характеристики полупроводниковых приборов
ОПК.17.У2. Рассчитывать электрофизические параметры полупроводников и строить их зависимости от внешних параметров
Размещение информации на странице:
Данные из Информационной системы  
Наверх